ADP1882/ADP1883
散热注意事项
该ADP1882 / ADP1883均采用直流 - 直流降压，高
有一个板载的控制器和板载电流的应用
MOSFET驱动器。由于应用程序可能需要高达20 A
的负载电流输送和经受高环境
温度的环境中，外部上侧的选择
和下部侧MOSFET必须用小心热关联
考虑到不超过允许的最大结
温度为125°C 。为了避免长期或不可修复的损坏
如果结温度达到或超过155 ℃时，部分
进入热关断，关闭两个外部MOSFET ，
并且不重新启用，直到结温降低到
140 ° C（见热关断部分） 。
允许的ADP1882的最大结温/
ADP1883芯片是125°C 。这意味着环境的总和
温度（T
A
）和上升封装温度（T
R
），其
是由封装和内部的热阻抗
耗散功率，应不超过125 ℃，如由
下面的表达式：
T
J
=
T
R
×
T
A
其中：
T
A
是在室温下进行。
T
J
是最大结温。
T
R
是上升的包温度由于功率
从内消退。
中包温度上升成正比其
热阻抗特性。下面的等式
代表这个比例关系：
T
R
=
θ
JA
×
P
DR （亏损）
其中：
θ
JA
是包的从结到热阻
模头，在那里它满足了周围空气的外表面。
P
DR （亏损）
是总功率的IC散热。
消耗的功率的大部分是由于栅极电容
的外部MOSFET 。 MOSFET的功率损耗公式
司机（见效率的MOSFET驱动器部分损失
考虑部分）
P
DR （亏损）
= [V
DR
× (f
SW
C
upperFET
V
DR
+
I
BIAS
)]
+ [V
DD
× (f
SW
C
lowerFET
V
DD
+
I
BIAS
)]
其中：
C
upperFET
是上侧MOSFET的栅极输入电容。
C
lowerFET
是下侧MOSFET的栅极输入电容。
I
BIAS
是直流电流（2 mA）的流入上侧和
低侧驱动器。
V
DR
是驱动器的偏置电压（即，在低输入电压（V
DD
)
减去整流降（见图81 ））。
V
DD
是偏压
例如，如果外部MOSFET的特性是θ
JA
（ 10引脚MSOP封装） = 171.2 ° C / W，F
SW
= 300 kHz时，我
BIAS
= 2毫安，
C
upperFET
= 3.3 nF的，C
lowerFET
= 3.3 nF的，V
DR
= 5.12 V，和V
DD
= 5.5 V,
然后功率损耗是
P
DR （亏损）
= [V
DR
× (f
SW
C
upperFET
V
DR
+
I
BIAS
)]
+ [V
DD
× (f
SW
C
lowerFET
V
DD
+
I
BIAS
)]
= [5.12 × (300 × 10
3
× 3.3 × 10
9
× 5.12 + 0.002)]
+ [5.5 × (300 × 10
3
×3.3 × 10
9
× 5.5 + 0.002)]
= 77.13毫瓦
在封装温度上升
T
R
=
θ
JA
×
P
DR （亏损）
= 171.2 ℃， × 77.13毫瓦
= 13.2°C
假定为85 °的最大环境温度环境℃，
结温度是
T
J
=
T
R
×
T
A
= 13.2°C + 85°C = 98.2°C
这是低于125°C的最高结温。
设计实例
该ADP1882 / ADP1883易于使用，只需要几
设计标准。例如，示例本节中概述
只使用四个设计准则： V
OUT
= 1.8 V，I
负载
= 15 A（脉冲） ，
V
IN
= 12 V （典型值） ，而f
SW
= 300千赫。
输入电容
最大输入电压纹波的一般为1 ％
最小输入电压（ 11.8 V× 0.01 = 120毫伏） 。
V
石油化工科学研究院
= 120毫伏
V
MAX ，纹波
=
V
石油化工科学研究院
(I
负载，最大值
×
ESR）
= 120毫伏 - （ 15 A× 0.001 ） = 45 mV的
C
IN， MIN
=
I
负载
,
最大
4
f
SW
V
最大
,
纹波
=
15 A
4
×
300
×
10
3
×
105毫伏
= 120 μF
选择5个22 μF陶瓷电容。五，整体ESR
22 μF陶瓷电容小于1兆欧。
I
RMS
=
I
负载
/2 = 7.5 A
P
CIN
= (I
RMS
)
2
×
ESR
= (7.5A)
2
× 1MΩ = 56.25毫瓦
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