ADP1882/ADP1883
同步整流器器
该ADP1882 / ADP1883采用内部低侧MOSFET
驱动器以驱动外部上侧和下侧的MOSFET。
同步整流器，不仅提高了整体通
效率，又能保证正常充电的自举
电容器位于上侧驱动器的输入。这是有利
在启动过程中提供足够的驱动信号输出到外部
上部侧MOSFET和实现一个快速转弯上的反应，这是
必不可少的用于最小化开关损耗。集成的大写
侧和低侧MOSFET驱动器的互补工作
时尚与内置anticross传导电路，以防止
不需要的直通电流，可能会潜在地损害
MOSFET或降低效率的权力过大的损失的结果。
一旦正向电流通过下侧
MOSFET减小到一定水平，
10毫伏=
I
Q2
×
R
ON(Q2)
零交叉比较器（或我
转
比较器）发出的信号来
关掉低侧MOSFET 。从这点来说，的斜率
电感电流斜坡下降变得陡峭（参见图76 ）
作为低侧MOSFET的体二极管开始导通
电流，并继续传导电流直到剩余
储存在电感中的能量已经消耗殆尽。
另
t
ON
边缘
触发时V
OUT
低于规
SW
t
ON
省电模式（ PSM ）版本（ ADP1883 ）
该ADP1883是ADP1882的省电模式的版本。
该ADP1883工作在非连续导通模式
（ DCM ）和脉冲跳跃在轻负载midload电流。它输出
豆类，必要时，要保持输出稳压。不像
连续导通模式（ CCM ） ， DCM运行，以防止
负电流，从而允许在改进的系统效率
轻负载。通过此途径的电流在相反的方向，
然而，导致在功率消耗，因此，减小
在EF网络效率。
HS
HS和LS
在空闲模式
LS
I
负载
零交叉比较器
检测10mV的失调和
熄灭LS
0A
为10mV = R
ON
× I
负载
t
ON
图76. 10 mV的偏移量，以保证负电感电流的防治
LS
HS和LS为OFF
或空闲模式
t
关闭
系统保持在空闲模式中，直到输出电压降低
从内部监管。 PWM脉冲，然后生产，转向
在上侧MOSFET来维持系统的调节。该
ADP1883不具有一个内部时钟;因此，它切换
纯粹作为一个滞后控制器如本节所述。
定时器操作
当电感
目前的方法
零电流，国家
机关闭
低侧MOSFET。
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I
负载
0A
图74.操作不连续模式（ DCM ）
以最小化负电感器电流分量的机会，
一个板上，零交叉比较器将关闭所有的上侧和
低侧开关活动时的电感器电流
接近零电流线，从而使计算机系统进入
空闲模式，其中的上侧和下侧的MOSFET是
关闭。为了确保空闲模式进入， 10 mV的偏移量，连接
串联在SW节点，实现（参见图75）。
零交叉
比较
SW
I
Q2
10mV
该ADP1882 / ADP1883采用恒定导通时间架构
它提供了多种益处，其中包括改善负载和
线路瞬态响应时相比常数（固定的）
的一个比较的环路设计频率电流模式控制回路。
恒定导通时间定时器，或T
ON
计时器，检测高输入
电压（V
IN
）和输出电压（V
OUT
）使用SW波形
信息产生一个可调节的单稳态PWM脉冲的
而变化的在上侧MOSFET的时间响应于
在输入电压，输出电压和负载电流的动态变化
条件下保持稳压。然后它产生一个导通时间
(t
ON
）脉冲成反比至V
IN
.
t
ON
=
K
×
V
OUT
V
IN
哪里
K
]是使用一个RC定时器产物修整的恒定
为300千赫， 600千赫和1.0兆赫频率的选项。
图75.零交叉比较器具有10 mV的偏移
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LS
Q2
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