ADP1882/ADP1883
800
720
640
整流器DROP （MV ）
体二极管导通时间（纳秒）
V
REG
= 2.7V
V
REG
= 3.6V
V
REG
= 5.5V
+125°C
+25°C
–40°C
80
72
64
56
48
40
32
24
16
300kHz
1MHz
+125°C
+25°C
–40°C
560
480
400
320
240
160
08901-039
400
500
600
700
800
900
1000
3.1
3.5
3.9
4.3
4.7
5.1
5.5
频率（kHz ）
VREG （ V）
图40.内部整流压降与频率的关系
1280
1200
1120
1040
整流器DROP （MV ）
图43.低侧MOSFET的体导通时间与V
DD
（低输入电压）
V
IN
= 5.5V
V
IN
= 13V
V
IN
= 16.5V
1MHz
300kHz
T
A
= 25°C
输出电压
1
960
880
800
720
640
560
480
400
320
240
160
08901-040
电感电流
2
SW节点
3
LOW SIDE
4
3.1
3.5
3.9
4.3
4.7
5.1
5.5
VREG （ V）
CH1为50mV
BW
CH3 10V
BW
CH2 5A
CH4 5V
M400ns
T
35.8%
一CH2
3.90A
图41.内部升压整流压降与V
DD
（低输入电压）
在V
IN
变异
图44.省电模式（ PSM ）工作波形，百毫安
720
640
560
300kHz
1MHz
+125°C
+25°C
–40°C
1
输出电压
整流器DROP （MV ）
电感电流
480
400
320
240
160
4
08901-041
2
SW节点
3
LOW SIDE
CH1为50mV
BW
CH3 10V
BW
CH2 5A
CH4 5V
M4.0s
T
35.8%
一CH2
3.90A
08901-044
80
2.7
3.1
3.5
3.9
4.3
4.7
5.1
5.5
VREG （ V）
图42.内部升压整流压降与V
DD
图45. PSM波形在轻载， 500毫安
第0版|第13页40
08901-043
80
2.7
08901-042
80
300
8
2.7
