IRFP21N60L ， SiHFP21N60L
Vishay Siliconix公司
功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
(Ω)
Q
g
（最大值） （ NC ）
Q
gs
（ NC ）
Q
gd
（ NC ）
CON组fi guration
V
GS
= 10 V
150
46
64
单身
D
特点
600
0.27
超快体二极管无需使用
在ZVS应用外部二极管
更低的栅极电荷结果简单驱动
需求
可用的
RoHS指令*
柔顺
增强的dV / dt能力提供了更好的耐用性
较高的栅极电压阈值提供了改进的噪声
免疫
铅（Pb） ，免费提供
TO-247
应用
零电压开关SMPS
G
S
D
G
S
N沟道
MOSFET
电信和服务器电源
Uniterruptible电源
电机控制应用
订购信息
包
铅（Pb ） - 免费
SNPB
TO-247
IRFP21N60LPbF
SiHFP21N60L-E3
IRFP21N60L
SiHFP21N60L
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
脉冲漏
当前
a
V
GS
在10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
E
AS
I
AR
E
AR
T
C
= 25 °C
P
D
dv / dt的
T
J
, T
英镑
10秒
6-32或M3螺丝
极限
600
± 30
21
13
84
2.6
420
21
33
330
16
- 55至+ 150
300
d
10
1.1
W / ℃，
mJ
A
mJ
W
V / ns的
°C
磅力·中
N·m的
A
单位
V
线性降额因子
单脉冲雪崩能量
b
重复性雪崩电流
a
重复性雪崩
能源
a
dv / dt的
c
最大功率耗散
峰值二极管恢复
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
安装力矩
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。起始物为
J
= 25 ° C，L = 1.9 mH的，R
G
= 25
Ω,
I
AS
= 21 A，的dV / dt = 11 V / ns的（参见图12A） 。
C.我
SD
≤
21 A， di / dt的
≤
530 A / μs的，V
DD
≤
V
DS
, T
J
≤
150 °C.
。 1.6毫米的情况。
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
文档编号： 91206
S- 81273 -REV 。 B， 16军， 08
www.vishay.com
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