IRFP22N50A ， SiHFP22N50A
Vishay Siliconix公司
功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
(Ω)
Q
g
（最大值） （ NC ）
Q
gs
（ NC ）
Q
gd
（ NC ）
CON组fi guration
V
GS
= 10 V
120
32
52
单身
D
特点
500
0.23
低栅极电荷Q
g
结果简单驱动
需求
改进的门，雪崩和动态dv / dt的
耐用性
全
特征
电容
雪崩电压和电流
铅（Pb） ，免费提供
和
可用的
RoHS指令*
柔顺
TO-247
应用
开关模式电源（SMPS ）
G
不间断电源
高速电源开关
S
D
G
S
N沟道
MOSFET
典型SMPS拓扑
全桥转换器
功率因数校正升压
订购信息
包
铅（Pb ） - 免费
SNPB
TO-247
IRP22N50APbF
SiHFP22N50A-E3
IRP22N50A
SiHFP22N50A
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
脉冲漏
当前
a
能源
b
V
GS
在10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
E
AS
I
AR
E
AR
T
C
= 25 °C
P
D
dv / dt的
T
J
, T
英镑
10秒
6-32或M3螺丝
极限
500
± 30
22
14
88
2.2
1180
22
28
277
4.8
- 55至+ 150
300
d
10
1.1
W / ℃，
mJ
A
mJ
W
V / ns的
°C
磅力·中
N·m的
A
单位
V
线性降额因子
单脉冲雪崩
重复性雪崩
重复性雪崩
当前
a
能源
a
最大功率耗散
峰值二极管恢复的dv / dt
c
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
安装力矩
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。起始物为
J
= 25 ° C，L = 4.87 mH的，R
G
= 25
Ω,
I
AS
= 22 A（见图12 ） 。
C.我
SD
≤
22 A， di / dt的
≤
190 A / μs的，V
DD
≤
V
DS
, T
J
≤
150 °C.
。 1.6毫米的情况。
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
文档编号： 91207
S- 81264 -REV 。 A， 21 -JUL- 08
www.vishay.com
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