IRFP27N60K ， SiHFP27N60K
Vishay Siliconix公司
功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
(Ω)
Q
g
（最大值） （ NC ）
Q
gs
（ NC ）
Q
gd
（ NC ）
CON组fi guration
V
GS
= 10 V
180
56
86
单身
D
特点
600
0.18
低栅极电荷Q
g
结果简单驱动
需求
改进的门，雪崩和动态dv / dt的
耐用性
可用的
RoHS指令*
柔顺
充分界定电容和雪崩电压
和电流
增强型体二极管dv / dt能力
铅（Pb） ，免费提供
TO-247
应用
硬开关初级或PFC开关
G
开关模式电源（SMPS ）
·不间断电源
S
N沟道
MOSFET
S
D
G
高速电源开关
电机驱动器
订购信息
包
铅（Pb ） - 免费
SNPB
TO-247
IRFP27N60KPbF
SiHFP27N60K-E3
IRFP27N60K
SiHFP27N60K
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
a
线性降额因子
单脉冲雪崩能量
b
重复性雪崩电流
a
重复性雪崩能量
a
最大功率耗散
峰值二极管恢复的dv / dt
c
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
安装力矩
10秒
6-32或M3螺丝
T
C
= 25 °C
E
AS
I
AR
E
AR
P
D
dv / dt的
T
J
, T
英镑
V
GS
在10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
极限
600
± 30
27
18
110
4.0
530
27
50
500
13
- 55至+ 150
300
d
10
1.1
W / ℃，
mJ
A
mJ
W
V / ns的
°C
磅力·中
N·m的
A
单位
V
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。起始物为
J
= 25℃时，L = 1.4毫亨，R
G
= 25
Ω,
I
AS
= 27 A，的dV / dt = 13 V / ns的（参见图12） 。
C.我
SD
≤
27 A， di / dt的
≤
390 A / μs的，V
DD
≤
V
DS
, T
J
≤
150 °C.
。 1.6毫米的情况。
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
文档编号： 91219
S-挂起-REV 。 B， 12军， 08
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WORK -IN -PROGRESS
