H5N2508DL ， H5N2508DS
硅N沟道MOS FET
高速电源开关
REJ03G1108-0200
（上一个： ADE- 208-1377 ）
Rev.2.00
2005年9月7日
特点
低导通电阻，R
DS （ ON）
= 0.48
典型值。
低漏电流：I
DSS
= 1
A
最大（在V
DS
= 250 V)
高速开关：吨
f
= 11 ns的典型值（ V
GS
= 10 V, V
DD
= 125 V，I
D
= 3.5 A)
低栅极电荷：的Qg = 13 NC典型值（ V
DD
= 200 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 7 A)
雪崩额定值
概要
瑞萨封装代码： PRSS0004ZD -B
（包名称： DPAK （ L） - （ 2 ） ）
4
D
4
1.门
2.漏
3.源
4.漏
瑞萨封装代码： PRSS0004ZD -C
（包名称： DPAK （ S） ）
G
1
2
3
S
1
2
3
Rev.2.00 2005年9月7日第1页7
