恩智浦半导体
PBLS4001D
40 V PNP BISS loadswitch
表7中。
特征
- 续
T
AMB
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号
f
T
C
c
参数
跃迁频率
集电极电容
条件
I
C
=
50
毫安; V
CE
=
10
V;
F = 100 MHz的
V
CB
=
10
V ;我
E
= i
e
= 0 A;
F = 1 MHz的
V
CB
= 50 V ;我
E
= 0 A
V
CE
= 30 V ;我
B
= 0 A
V
CE
= 30 V ;我
B
= 0 A;
T
j
= 150
°C
V
EB
= 5 V ;我
C
= 0 A
V
CE
= 5 V ;我
C
= 20毫安
I
C
= 10毫安;我
B
- 0.5毫安
民
150
-
典型值
-
-
最大
-
12
单位
兆赫
pF
TR2 ; NPN电阻配备晶体管
I
CBO
I
首席执行官
集电极 - 基极截止
当前
集电极 - 发射极
截止电流
发射极 - 基极截止
当前
直流电流增益
集电极 - 发射极
饱和电压
-
-
-
-
30
-
-
2
1.54
0.8
V
CB
= 10 V ;我
E
= i
e
= 0 A;
F = 1 MHz的
-
-
-
-
-
-
-
1.2
1.6
2.2
1
-
100
1
50
2
-
150
0.5
-
2.86
1.2
2.5
pF
mV
V
V
k
nA
A
A
mA
I
EBO
h
FE
V
CESAT
V
我（关闭）
V
我（上）
R1
R2/R1
C
c
断态输入电压V
CE
= 5 V ;我
C
= 1毫安
通态输入电压V
CE
= 0.3 V ;我
C
= 20毫安
偏置电阻器1 （输入）
偏置电阻率
集电极电容
[1]
脉冲测试：吨
p
≤
300
s; δ ≤
0.02.
PBLS4001D_3
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产品数据表
牧师03 - 2009年1月5日
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