恩智浦半导体
PBRN123E系列
NPN 800毫安， 40 V BISS再生能源技术; R1 = 2.2千欧，R2 = 2.2千欧
10
3
Z
号（j -a）的
（K / W）
10
2
006aab002
δ
=1
0.50
0.75
0.33
0.20
0.10
10
0.05
0.02
0.01
1
0
10
1
10
5
10
4
10
3
10
2
10
1
1
10
10
2
t
p
(s)
10
3
陶瓷电路板，铝
2
O
3
，标准的足迹
图5.瞬态结点的热阻抗到环境的脉冲持续时间的函数
SOT23封装（ TO- 236AB ）和SOT346 （ SC - 59A / TO- 236 ） ;典型值
10
3
Z
号（j -a）的
（K / W）
δ
=1
10
2
0.50
0.33
0.20
0.10
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0.05
0.02
0.01
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2
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10
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t
p
(s)
10
3
0.75
006aab003
FR4 PCB，标准的足迹
图6.瞬态结点的热阻抗到环境的脉冲持续时间的函数
SOT54 （ SC - 43A / TO- 92 ） ;典型值
PBRN123E_SER_1
NXP B.V. 2007年保留所有权利。
产品数据表
版本01 - 2007年2月27日
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