恩智浦半导体
PDTA113E系列
PNP电阻配备晶体管; R 1 = 1千欧，R2 = 1kΩ的
7.特点
表8 。
特征
T
AMB
= 25
°
C除非另有规定编
符号
I
CBO
I
首席执行官
参数
集电极 - 基极截止
当前
集电极 - 发射极
截止电流
发射极 - 基极截止
当前
直流电流增益
集电极 - 发射极
饱和电压
断态电压输入
通态输入电压
偏置电阻器1 （输入）
偏置电阻率
集电极电容
V
CB
=
10
V ;我
E
= i
e
= 0 A;
F = 1 MHz的
条件
V
CB
=
50
V ;我
E
= 0 A
V
CE
=
30
V ;我
B
= 0 A
V
CE
=
30
V ;我
B
= 0 A;
T
j
= 150
°C
V
EB
=
5
V ;我
C
= 0 A
V
CE
=
5
V ;我
C
=
40
mA
I
C
=
30
毫安;我
B
=
1.5
mA
V
CE
=
5
V ;我
C
=
100 A
V
CE
=
300
毫伏;我
C
=
20
mA
民
-
-
-
-
30
-
-
2
0.7
0.8
-
典型值
-
-
-
-
-
-
1.3
1.7
1
1
-
最大
100
1
50
4
-
150
0.5
-
1.3
1.2
2
pF
mV
V
V
k
单位
nA
A
A
mA
I
EBO
h
FE
V
CESAT
V
我（关闭）
V
我（上）
R1
R2/R1
C
c
PDTA113E_SER_5
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产品数据表
牧师05 - 2009年9月2日
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