恩智浦半导体
PDTD113E系列
NPN 500毫安电阻配备晶体管; R 1 = 1千欧，R2 = 1kΩ的
10.修订历史记录
表10 。
修订历史
发布日期
20091116
数据表状态
产品数据表
变更通知
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SUPERSEDES
PDTD113E_SER_1
文档ID
PDTD113E_SER_2
莫迪科幻阳离子：
本数据表被更改，以反映新的公司名称NXP半导体，
包括新的法律去连接nitions和免责声明。没有变化的技术作出
内容。
产品数据表
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PDTD113E_SER_1
20050414
PDTD113E_SER_2
NXP B.V. 2009保留所有权利。
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牧师02 - 2009年11月16日
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