三菱<INTELLIGENT电源MODULES>
PM150CBS060
FLAT- BASE TYPE
绝缘包
系统总
参数
电源电压保护的
V
CC （ PROT ）
OC & SC
V
CC （浪涌）
电源电压（浪涌）
模块操作案例
T
C
温度
储存温度
T
英镑
V
ISO
隔离电压
符号
条件
V
D
= 13.5 16.5V ，逆变部分，
T
j
= 125°C开始
之间施加：P -N ，浪涌值
(Note-1)
评级
400
500
–20 ~ +110
–40 ~ +125
60Hz的正弦
收取一部分基础， AC 1分钟。
2500
单位
V
V
°C
°C
V
RMS
（注1 ）锝（芯片下）测量点如下。
（单位：毫米）
ARM
轴
X
Y
IGBT
83.3
5.3
U
P
FWDI
83.3
–4.8
IGBT
41.8
5.3
V
P
FWDI
41.8
–4.8
IGBT
16.8
5.3
W
P
FWDI
16.8
–4.8
IGBT
70.8
–0.8
U
N
FWDI
70.8
–10.8
IGBT
54.3
–0.8
V
N
FWDI
54.3
–10.8
IGBT
29.3
–0.8
W
N
FWDI
29.3
–10.8
Y
底部视图
X
–Y
P
N
U
V
W
热阻
符号
R
日（ J- C' ） Q
R
日（ J- C' ）F
R
TH（ C-F ）
参数
结到外壳热
抗性
测试条件
TC测量点只是在芯片逆变器的IGBT
部分（每1/6模块）
TC测量点是刚下变频芯片
FWDI部分（每1/6模块）
案例鳍， （每1个模块）
导热硅脂应用
分钟。
—
—
—
范围
典型值。
—
—
—
马克斯。
0.17*
0.27*
0.046
单位
° C / W
° C / W
° C / W
接触热阻
* ：如果使用此值，R
TH（ F-一）
只是在芯片下应测量。
电气特性
（ TJ = 25 ℃，除非另有说明）
逆变部分
符号
V
CE （ SAT ）
V
EC
t
on
t
rr
t
C（ ON）
t
关闭
t
C（ OFF）
I
CES
参数
集电极 - 发射极
饱和电压
FWDI正向电压
测试条件
V
D
= 15V ，我
C
= 150A
T
j
= 25°C
（图1 ）T
j
= 125°C
V
CIN
= 0V ，脉冲
–I
C
= 150A ，V
D
= 15V, V
CIN
= 15V
V
D
= 15V, V
CIN
= 15V0V
V
CC
= 300V ，我
C
= 150A
T
j
= 125°C
感性负载
V
CE
= V
CES
, V
D
= 15V （图4）的
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
分钟。
—
—
—
0.8
—
—
—
—
—
—
范围
典型值。
1.7
1.7
2.2
1.2
0.15
0.4
2.4
0.5
—
—
马克斯。
2.3
2.3
3.3
2.4
0.3
1.0
3.3
1.0
1
10
单位
V
V
s
s
s
s
s
mA
（图2）
开关时间
（图3）的
集电极 - 发射极
截止目前
2001年9月
