2N2222AQCSM
每台设备的电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
V
CEO （ SUS） *
V
（ BR ） CBO *
V
（ BR ） EBO *
I
CEX *
I
CBO *
I
EBO *
I
BL *
V
CE （SAT） *
V
BE （SAT） *
集电极 - 发射极耐受电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流（I
C
= 0)
集电极 - 基截止电流
发射极截止电流（I
C
= 0)
基极电流
集电极 - 发射极饱和电压
基地 - 发射极饱和电压
测试条件
I
C
= 10毫安
I
C
= 10A
I
E
= 10A
I
B
= 0
I
E
= 0
T
C
= 125°C
I
C
= 0
V
CE
= 60V
I
C
= 150毫安
I
C
= 500毫安
I
C
= 150毫安
I
C
= 500毫安
I
C
= 0.1毫安
I
C
= 1毫安
V
EB
= 3V （关闭）
V
EB
= 3V （关闭）
I
B
= 15毫安
I
B
= 50毫安
I
B
= 15毫安
I
C
= 50毫安
V
CE
= 10V
V
CE
= 10V
V
CE
= 10V
V
CE
= 10V
V
CE
= 10V
V
CE
= 1V
V
CE
= 10V
I
C
= 0
V
CE
= 60V
V
CB
= 60V
分钟。
40
75
6
典型值。
MAX 。 UNIT
V
V
V
10
10
10
10
20
0.3
1
nA
nA
A
nA
nA
V
V
0.6
35
50
75
35
100
50
40
1.2
2
h
FE *
直流电流增益
I
C
= 10毫安
T
A
= -55 ° C I
C
= 10毫安
I
C
= 150毫安
I
C
= 150毫安
I
C
= 500毫安
—
300
*脉冲测试吨
p
= 300s ,
δ ≤
2%
每台设备的动态特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
f
T
C
ob
C
ib
的hFE
跃迁频率
输出电容
输入电容
小信号电流增益
测试条件
I
C
= 20mA下
V
CB
= 10V
V
BE
= 0.5V
I
C
= 1毫安
I
C
= 10毫安
V
CE
= 20V
I
E
= 0
I
C
= 0
V
CE
= 10V
V
CE
= 10V
F = 100MHz的
F = 1.0MHz的
F = 1.0MHz的
F = 1kHz时
F = 1kHz时
分钟。
300
典型值。
MAX 。 UNIT
兆赫
8
30
pF
pF
50
75
300
375
开关特性每台设备（阻性负载）
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
t
d
t
r
t
s
t
f
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
测试条件
V
CC
= 30V
I
C1
= 150毫安
V
CC
= 30V
V
BE
= 0.5V （关）
I
B1
= 15毫安
I
C
= 150毫安
I
B1
= I
B2
= 15毫安
分钟。
典型值。
MAX 。 UNIT
10
25
225
60
ns
ns
ns
ns
Ft是定义为hFE参数外推，以统一的频率。
Semelab PLC 。
电话：+44（ 0 ） 1455 556565.传真：+44（ 0 ） 1455 552612.电子邮件sales@semelab.co.uk
预赛。 1/99
