PM6641
设备描述
回路电压参考是从0线性增大到0.8V在很长的时间（长达一
几毫秒） （见
第28页的输出软启动：第二章7.6
有关详细信息） 。
当EN_1S8引脚变为低电平时， VDDQ电压输出电容通过放电
内部放电的MOSFET ，并在电容器放电结束时，所述低侧功率
MOSFET是最终收（请参阅
第7.7章：第29页的输出软结束
有关详细信息） 。
电源良好信号（ PG_1S8引脚）是一个开漏输出，短路输出到GND
在满足下列条件：
●
●
●
当1.8 V轨输出电压超出+/- 10 ％范围内，从标称值
当保护（UV ， OV ，热）已被触发
当稳压器的软启动。
当被启用的VDDQ和VTT导轨， PG_1S8悬空，并且作为结果，
拉到由外部上拉电阻，如果两个导轨内的+/- 10％范围
标称值。该PG_1S8引脚可以吸收电流高达4mA时，它置为低电平。
7.1.2
VTT LDO和VTTREF缓冲基准
该PM6641提供VTTREF引脚上所需的DDR2 / 3的参考电压。内部
缓冲区跟踪半VOUT_1S8引脚上的电压并具有漏极和源能力高达
15毫安为± 2 ％的精度所提到的VDDQ的一半。
更高的电流迅速恶化的输出精度。一个10 nF至100 nF的（ 33 nF的典型值）
旁路电容SGND需要稳定。
在VTT低压降输出线性稳压器的设计下沉并提供高达2A的
峰值电流和1之间的连续。在VTT电压跟踪VTTREF在± 35毫伏。一
远程电压检测引脚（ VTTFB ）提供到恢复电压由于寄生
性。在DDR2 / 3的应用中，线性稳压器的输入LDOIN通常连接
到VDDQ输出; LDOIN销连接到较低的电压（如，可以在系统）
降低LDO的功耗，但最小的压降必须
保证的，这取决于预期的最大电流。
20微法（ uF的2×10单或22 uF的陶瓷电容）最小输出电容为
足以保证稳定性和快速的负载瞬态响应。
据DDR2 / 3 JEDEC规格，当系统进入挂起到RAM
状态（ S5高， S3低） ，LDO输出将处于高阻抗，而VTTREF和
VDDQ还活着。当挂起到磁盘状态（ S3和S5接地）输入，
作为选择的所有的输出都在积极排出由跟踪或非跟踪放电
通过DSCG引脚（见
第7.7章：第29页的输出软结束
有关详细信息） 。
7.1.3
VTT和VTTREF软启动
软启动在VTT和VTTREF输出由电流钳位来实现的。该LDO线性
调节器，提供了一种电流折回保护：当输出电压离开
内为±10％的VTT -好窗口，输出电流被钳位在±1 A.重新进入VTT-
良好的窗口释放电流限制夹紧。折返机制自然
实现了两个步骤的软启动充电输出电容器用1所述的恒定电流。
同样的事情也发生在VTTREF引脚，当输出电容器顺利收取
固定40毫安（典型值）电流限制。
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