PM6641
表6.电气特性（续）
电气特性
值
符号
参数
测试条件
民
软终端部分 - 芯片组的1.05 V电压轨
放电电阻
LS导通VFB_1SX
阈值与内部分频器
LS导通VFB_1SX
阈值与外部分压器
VFB_S1X到OUT_X
VFB_S1X外部分压器
25
0.2
V
0.16
典型值
最大
单位
电源管理部分 - 芯片组的1.05 V电压轨
EN_1S05关断层面
EN_1S05接通水平
开关节点 - DDR2 / 3轨
t
ONMIN
最小导通时间
高端PMOS罗恩
低侧NMOS罗恩
V
AVCC
= V
VCC
= 5 V,
所有EN_1S8低
R
CSNS
= 50 k
V
IN
=
+5 V
V
IN
=
+3.3 V
6.1
200
90
80
130
m
120
1
A
1
A
ns
V
AVCC
= +5 V
0.8
V
2
R
DSON ， HS
R
DSON ， LS
I
INLEAK
VIN_1S8漏电流
峰值电流限制
软端部 - DDR2 / 3轨
在VDDQ放电电阻
非跟踪放电模式
VTTREF放电电阻
在非跟踪放电模式
VTTFB放电电阻
非跟踪放电模式
25
200
40
V
FB_1SX
阈值进行最后的
跟踪/非跟踪放电VFB_S1X到OUT_X
内部分隔过渡
V
FB_1SX
阈值进行最后的
跟踪/非跟踪放电VFB_S1X外部分压器
与外部分压器转型
0.340
V
0.160
V
11/47
