恩智浦半导体
PMD4003K
MOSFET驱动器
7.特点
表7中。
特征
条件
V
CB
= 40 V ;我
E
= 0 A
V
CB
= 40 V ;我
E
= 0 A;
T
j
= 150
°C
V
CE
= 5 V ;我
C
= 1毫安
V
CE
= 5 V ;我
C
= 200毫安
V
CE
= 5 V ;我
C
= 500毫安
V
CE
= 5 V ;我
C
= 1 A
V
CE
= 5 V ;我
C
= 2 A
V
CESAT
集电极 - 发射极
饱和电压
I
C
= 100毫安;我
B
= 5毫安
I
C
= 500毫安;我
B
= 50毫安
I
C
= 1 ;我
B
= 100毫安
I
C
= 2 A;我
B
= 200毫安
V
BESAT
基射极饱和
电压
I
C
= 100毫安;我
B
= 5毫安
I
C
= 500毫安;我
B
= 50毫安
I
C
= 1 ;我
B
= 100毫安
I
C
= 2 A;我
B
= 200毫安
V
BE
二极管
V
F
设备
t
d
t
r
t
on
t
s
t
f
t
关闭
t
d
t
r
t
on
t
s
t
f
t
关闭
[1]
[1]
[1]
[1]
[1]
[1]
[1]
[1]
[1]
[1]
[1]
符号参数
NPN晶体管
I
CBO
集电极 - 基极截止
当前
直流电流增益
民
-
-
300
300
300
200
75
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
450
450
400
340
120
30
100
180
360
0.75
0.9
1
1.1
760
-
5
27
32
1520
184
1704
2
2
4
150
154
304
最大
100
50
-
830
-
-
-
80
120
230
440
0.9
1.1
2
1.3
-
1.1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
nA
A
h
FE
mV
mV
mV
mV
V
V
V
V
mV
V
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
基射极电压
正向电压
延迟时间
上升时间
开启时间
贮存时间
下降时间
打开-O FF时间
延迟时间
上升时间
开启时间
贮存时间
下降时间
打开-O FF时间
脉冲测试：吨
p
≤
300
s; δ ≤
0.02.
V
CE
= 5 V ;我
C
= 500毫安
I
F
=
200
mA
I
C
= 0.5 A;我
B
= 25毫安
[1]
器件具有可选的电容C1
I
C
= 0.5 A;我
B
= 25毫安;
C1 = 2.2 nF的
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PMD4003K_1
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产品数据表
牧师01 - 2006年11月3日
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