DG535/536
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
a
测试条件
除非另有说明
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
漏源
导通电阻
电阻匹配
SOURCE OFF
漏电流
在排水
漏电流
禁止输出
V
类似物
r
DS （ ON）
Dr
DS （ ON）
I
S（ OFF）
I
D（上）
R
关闭
I
S
= -1毫安，V
D
= 3 V
EN = 10.5 V
序列每个交换机上
V
S
= 3 V, V
D
= 0 V ， EN = 4.5 V
V
S
= V
D
= 3 V ， EN = 10.5 V
I
关闭
= 1毫安， EN = 10.5 V
满
房间
满
房间
房间
满
房间
满
房间
满
100
–10
–100
–10
–1000
55
0
10
90
120
9
10
100
10
1000
200
250
–10
–100
–10
–100
0
10
90
120
9
10
100
–10
–100
200
250
nA
V
W
后缀
-55到125°C
后缀
-40到85°C
符号
V + = 15 V ， ST ， CS = 10.5 V
CS = 4.5 V ，V
A
= 4.5或10.5 V
f
温度
b
典型值
c
民
c
最大
c
民
c
最大
c
单位
W
数字控制
输入电压高
输入电压低
地址输入电流
地址输入
电容
V
AIH
V
AIL
I
AI
C
A
V
A
= GND或V +
满
满
房间
满
满
<0.01
–1
–100
10.5
4.5
1
100
–1
–100
10.5
4.5
1
100
mA
pF
V
5
动态特性
PLCC
在输入状态
电容
e
C
秒（上）
V
D
= V
S
= 3 V
CERQUAD
DIP
PLCC
关机状态下输入
电容
e
C
S（ OFF）
V
S
= 3 V
CERQUAD
DIP
PLCC
关态输出
电容
e
多路开关时间
突破前先
间隔
EN ， CS ， CS ，ST ，T
ON
EN ， CS ， CS ，ST ，T
关闭
电荷注入
C
D（关闭）
V
D
= 3 V
CERQUAD
DIP
t
TRANS
t
开放
t
ON
t
关闭
Q
参见图4
参见图2和3中
见图2
参见图5
R
IN
= 75
W
R
L
= 75
W
F = 5兆赫
参见图9
R
IN
= R
L
= 75
W
F = 5兆赫
EN = 4.5 V
参见图8
PLCC
CERQUAD
DIP
PLCC
CERQUAD
DIP
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
满
满
满
满
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
–35
–100
–93
–60
–85
–84
–60
dB
25
300
150
32
35
40
2
5
3
8
12
9
300
25
300
150
pC
300
ns
20
20
55
8
55
8
pF
45
45
单信道串扰
X
TALK （ SC ）
芯片残疾人串扰
X
TALK （ CD）
文档编号： 70070
S- 02315 -REV 。 D， 05 - OCT- 00
www.vishay.com
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