三菱半导体<Application具体的智能电源Module>
化。焊割。
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c
人SPE按照对
鳍
不是它有s
是是RIC廉
E：钍
t
通知帕拉梅
m
So
PR
Y
INAR
以琳
PS11017
FLAT- BASE TYPE
绝缘型
系统总
符号
T
j
T
英镑
T
C
V
ISO
项
结温
储存温度
模块外壳工作温度
隔离电压
安装力矩
条件
（注2 ）
—
（图3）的
60Hz的正弦交流所有终端和应用之间
基座板1分钟。
安装螺钉： M4.0
评级
–20 ~ +125
–40 ~ +125
–20 ~ +100
2500
0.98 ~ 1.47
单位
°C
°C
°C
VRMS
N·m的
注2）项规定的最高结温为ASIPM的功率元件（ IGBT /二极管），以确保安全运行。然而
以往，这些功率元件能承受瞬时结温高达150℃的瞬间。要使用此AD-的
ditional温度津贴，确切的应用条件进行详细的研究是必需的，因此，必要的信息
被请求使用之前被提供。
CASE测温点（从基面3毫米）
LABEL
Tc
（图3）的
热阻
符号
RTH （J -C ）
Q
RTH （J -C ）
F
RTH （J -C ）
Q
RTH （J -C ）
F
RTH （ C-F ）
项
逆变器的IGBT （ 1/6 ）
变频器FWDI （ 1/6 ）
制动IGBT
刹车FWDI
案例鳍，导热硅脂的应用
条件
分钟。
—
—
—
—
—
评级
典型值。
—
—
—
—
—
马克斯。
1.75
2.4
2.9
4.5
0.031
单位
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
结到外壳热
阻力
接触热阻
电气特性
（ TJ = 25 ° C，V
DH
= 15V, V
DB
= 15V ，除非另有说明）
符号
V
CE （ SAT ）
V
EC
V
CE （ SAT ）溴
V
FBR
吨
TC （上）
花花公子
TC （关闭）
TRR
项
集电极 - 发射极饱和电压
FWDI正向电压
制动IGBT
集电极 - 发射极饱和电压
制动二极管的正向电压
条件
V
DH
= V
DB
= 15V ，输入= ON ， TJ = 25°C ， IC = 50A
TJ = 25 ° C， IC = -50A ，输入= OFF
V
DH
= 15V ，输入= ON ， TJ = 25°C ， IC = 15A
TJ = 25°C ，我
F
= 15A ，输入= OFF
1/2桥电感，输入= ON
V
CC
= 300V ， IC = 50A ， TJ = 125°C
V
DH
= 15V, V
DB
= 15V
注：吨，花花公子，包括内部控制的延迟时间
电路
V
CC
≤
400V ，输入= ON （一次性）
TJ = 125°C开始
13.5V
≤
V
DH
= V
DB
≤
16.5V
V
CC
≤
400V ， TJ
≤
125°C,
开关SOA
I
DH
V
TH （ON）的
V
TH （OFF）的
R
i
短路电流
输入阈值电压
OFF输入阈值电压
输入上拉电阻
输入端子-V之间的集成
DH
IC <我
OL
（ CL ）的操作层面上，输入= ON ，
13.5V
≤
V
DH
= V
DB
≤
16.5V
V
DH
= 15V, V
CIN
= 5V
分钟。
—
—
—
—
0.40
—
—
—
—
评级
典型值。
—
—
—
—
0.8
0.40
1.5
0.6
0.15
马克斯。
2.9
2.9
3.5
2.9
2.0
1.0
2.4
1.3
—
单位
V
V
V
V
s
s
s
s
s
开关时间
FWD反向恢复时间
短路能力
（输出，ARM和负载，
短路模式）
无破坏
F
O
受保护的操作输出
无破坏
无保护操作
没有F
O
产量
—
0.8
2.5
—
—
1.4
3.0
150
150
2.0
4.0
—
mA
V
V
k
2000年1月
