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TPS782xx
SBVS115A - 2008年8月 - 修订2008年9月
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www.ti.com
这个集成电路可以被ESD损坏。德州仪器建议所有集成电路与处理
适当的预防措施。如果不遵守正确的操作和安装程序，可以造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降，完成设备故障。精密集成电路可能会更
容易受到伤害，因为很小的参数变化可能导致设备不能满足其公布的规格。
订购信息
(1) (2)
产品
TPS782xxyyyz
V
OUT
XX
为额定输出电压
YYY
是包的指示符。
Z
是磁带和卷轴数量（ R = 3000 ， T = 250） 。
(1)
(2)
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI
网站：
www.ti.com 。
其他输出电压组合都可以使用创新，工厂EEPROM编程快转的基础。
最小订购量适用;请联系您的销售代表了解详细信息和可用性
绝对最大额定值
(1)
在T
J
= -40° C到+ 125 ℃，除非另有说明。所有的电压都是相对于GND 。
参数
输入电压范围，V
IN
启用
输出电压范围，V
OUT
最大输出电流，我
OUT
输出短路持续时间
总的连续功率耗散，P
DISS
ESD额定值
人体模型（ HBM ）
带电器件模型（ CDM）
2
500
-40到+125
-55到+150
TPS782xx
-0.3到+6.0
-0.3到V
IN
+ 0.3V
-0.3到V
IN
+ 0.3V
内部限制
不定
见
耗散额定值
表
kV
V
°C
°C
单位
V
V
V
工作结温范围，T
J
存储温度范围，T
英镑
(1)
强调以上这些额定值可能会造成永久性的损害。长期在绝对最大条件下工作会
降低设备的可靠性。这些压力额定值只，设备的这些功能操作或以后的任何其他条件
这些规定是不是暗示。
耗散额定值
板
高K
(1)
高K
(1)
(1)
包
DRV
DDC
R
θJC
20°C/W
90°C/W
R
θJA
65°C/W
200°C/W
降额因子
上述牛逼
A
= +25°C
15.4mW/°C
5.0mW/°C
T
A
< + 25°C
1540mW
500mW
T
A
= +70°C
845mW
275mW
T
A
= +85°C
615mW
200mW
JEDEC的高K （ 2S2P ）板用于导出这些数据是一块3英寸× 3英寸，多层板用1盎司的内在动力和
接地层和2盎司铜迹线之上的董事会和底部。
2
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