Si5435DC
Vishay Siliconix公司
P通道30 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
--30
r
DS （ ON）
()
0.050 @ V
GS
= --10 V
0.080 @ V
GS
= --4.5 V
I
D
(A)
--5.6
--4.0
1206-8 ChipFETt
1
D
D
D
D
S
D
D
G
S
G
标识代码
BE XX
很多可追溯性
和日期代码
D
P沟道MOSFET
零件编号代码
底部视图
订货信息：
Si5435DC-T1
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
连续源电流
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值
温度）
B，C
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
5秒
稳定状态
--30
20
单位
V
--5.6
--4.0
--30
--2.1
2.5
1.3
--55到150
260
--4.1
--2.9
--1.1
1.3
0.7
W
A
_C
热电阻额定值
参数
最大
M I
结到环境
a
TI T A双向吨
最大结到脚（漏极）
t
≤
5秒
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJF
典型
40
80
15
最大
50
95
20
单位
° C / W
C/
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
B 。见可靠性手册资料。该ChipFET是无铅封装。引线端子的端部露出的铜（未镀）作为单片化的结果
工艺制造。的焊料圆角在暴露的铜尖不能得到保证，并且不需要以确保足够的底侧的焊料在互连
接口上。
。返工条件：手工焊接用烙铁不推荐用于无铅元件。
文档编号： 71144
S- 21251 -REV 。 B， 05 - 8 - 02
www.vishay.com
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