INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
KSD5060
描述
高
击穿电压 -
: V
CBO
= 1500V （最小值）
高
开关速度
高
可靠性
.Built式
阻尼二极管
应用
·设计
对于彩电行输出applicaitions
绝对最大额定值（T
a
=25
℃)
符号
参数
价值
单位
V
CBO
集电极 - 基极电压
1500
V
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
800
V
V
EBO
发射极 - 基极电压
6
V
I
C
集电极电流 - 连续
2.5
A
I
CP
集电极电流峰值
集电极耗散功率
@ T
C
=25℃
结温
10
A
P
C
80
W
T
J
150
℃
T
英镑
存储温度范围
-55~150
℃
ISC的网站： www.iscsemi.cn
