CY8CLED04D01 ， CY8CLED04D02
CY8CLED04G01 ， CY8CLED03D01
CY8CLED03D02 ， CY8CLED03G01
CY8CLED02D01 ， CY8CLED01D01
4.2低端N沟道FET
内部低侧N沟道FET被设计用于增强
系统集成。低边N沟道FET包括
以下主要特点：
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DMM的调制器包括一个12位PWM块和一个4位的
帝斯曼（ Δ-Σ调制）模块。 PWM的宽度，所述
宽度的数字万用表的，而时钟定义了输出频率。
PWM输出的占空比由使用DSM抖动
块具有用户可选择的分辨率高达4位。
4.4.3 PWM模式配置
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驱动能力高达1A
开关20纳秒（上升和下降时间）次，以确保高
效率（大于90％ ）
漏源电压额定值32V
低R
DS （ ON）
确保高效率
开关频率高达2 MHz的
高分辨率运行在高达16位
从1到65535个时钟用户可编程周期
专用的PWM模块使客户能够使用的核心的PSoC
用于其他用途数字模块
在中断输出或终端计数的上升沿
精准PWM相位控制管理系统电流的边缘
的四个通道中的相位同步
PWM输出可被对齐到左，右或中心
4.3外部栅极驱动器
这些栅极驱动器允许使用外部FET的具有较高
目前的能力或更低
DS （ ON）
。外部栅极驱动器
直接带动了在开关应用中MOSFET 。
栅极驱动器提供了多种可编程驱动强度
步骤，使改善EMI的管理。外部大门
驱动因素包括以下主要特点。
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该PWM设有一个递减计数器和脉宽寄存器。一
比较器的输出被置位时，该计数值是小于
或等于在脉冲宽度寄存器中的值。
可编程驱动强度选择（ 25％，50 ％，75％ ，100％）
对于EMI管理
上升和下降时间在55 ns的有4 nF的负载
4.5电流检测放大器
四个高边电流检测放大器提供差分
感应功能来检测整个电流检测电压
电阻器中的照明系统。电流检测放大器
包括以下主要特性：
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4.4调光调制方案
有可用的三个调光的调制方案
的PowerPSoC 。可配置的调制方案是：
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操作具有较高的共模电压为32V
高共模抑制比
可编程带宽优化系统的抗噪声
精确的信号强度调制（棱柱）
Δ-Σ调制模式（ DMM ）
脉冲宽度调制（PWM）的
4.4.1棱镜模式配置
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高分辨率运行在高达16位
专用的PrISM模块使客户能够使用的核心的PSoC
对于其他需要数字模块
时钟高达48MHz的
可选的输出信号密度
降低EMI
片外电阻R
SENSE
用于高侧电流
所示的测量
图4-3
第10页的输出上
电流检测放大器进入到电源外设
模拟多路复用器，用户可以选择其中的迟滞
控制器路由到。
表4-1
说明示例值
R
SENSE
针对不同的电流。
表4-1 。
SENSE
值不同的电流
最大负载电流（毫安）
1000
750
500
350
典型
SENSE
(mΩ)
100
130
200
300
棱镜模式比较一个的输出的伪随机
计数器与一个信号密度值。比较器的输出
断言时的计数值是小于或等于该值
在信号强度寄存器。
4.4.2 DMM模式配置
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高分辨率运行在高达16位
可配置的输出频率和Δ-Σ调制器
宽度权衡重复率与分辨率
DMM专用模块使客户能够使用的PSoC
用于其他用途数字模块
时钟高达48MHz的
文件编号： 001-46319修订版* G
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