CY8CLED04D01 ， CY8CLED04D02
CY8CLED04G01 ， CY8CLED03D01
CY8CLED03D02 ， CY8CLED03G01
CY8CLED02D01 ， CY8CLED01D01
15.18 PSoC核心编程规范
下表列出了许可的最大和最小规格的电压和温度范围： 4.75V到5.25V
和T
J
≤
115℃。典型参数适用于5V在25 ℃。这些仅作为设计指导。
表15-32 。编程直流规范
符号
I
DDP
V
ILP
V
国际水文计划
I
ILP
I
国际水文计划
V
OLV
V
OHV
描述
供电电流在编程或验证
编程过程中输入低电压或
VERIFY
编程过程中输入高电压或
VERIFY
施加电压Vilp为P1 [ 0 ]或当输入电流
P1 [1]编程或验证期间
应用VIHP为P1 [ 0 ]或当输入电流
P1 [1]编程或验证期间
编程时输出低电压或
VERIFY
编程时输出高电压或
VERIFY
民
–
–
2.1
–
–
–
VDD - 1.0
50,000
1,800,000
10
典型值
15
–
–
–
–
–
–
–
–
–
最大
30
0.8
–
0.2
1.5
VSS + 0.75
VDD
–
–
–
单位
mA
V
V
mA
mA
V
V
–
–
岁月
每次擦除/写周期
块。
擦除/写周期。
驱动内部下拉
电阻器。
驱动内部下拉
电阻器。
笔记
FL灰
ENPB
闪存耐久性（每块）
FL灰
耳鼻喉科
FL灰
DR
闪存耐久性（总）
[7]
闪存数据保留
[8]
表15-33 。编程交流规范
符号
t
RSCLK
t
f运行
t
SSCLK
t
HSCLK
f
SCLK
t
ERASEB
t
写
t
DSCLK
描述
SCLK的上升时间
秋季SCLK的时间
数据建立时间SCLK的下降沿
数据保持时间从SCLK的下降沿
SCLK的频率
闪存擦除时间（块）
闪存块写入时间
数据输出延迟从SCLK的下降沿
民
1
1
40
40
0
–
–
–
典型值
–
–
–
–
–
10
30
–
最大
20
20
–
–
8
–
–
50
单位
ns
ns
ns
ns
兆赫
ms
ms
ns
笔记
笔记
7，最多36× 50000块的读写周期是允许的。这可能与操作上的最大50000次循环的每个， 36x2块36x1块进行平衡
每25000最大周期，或12,500最大周期36x4块，每个块（以循环的总数限制为36x50,000并且没有单个块曾经看到
超过50000次循环）
对于全工业范围，用户必须采用温度传感器用户模块（ FlashTemp），并在写入之前将结果提供给温度参数。
请参考闪存API应用笔记AN2015在
http://www.cypress.com
有关详细信息，根据应用笔记。
8.保证为-40°C
≤
T
A
≤
85°C
文件编号： 001-46319修订版* G
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