HM628512C系列
的4M SRAM （ 512千字
×
8-bit)
ADE - 203-1212C （ Z）
修订版3.0
2002年8月5日
描述
日立HM628512C是4兆的静态RAM举办512千字
×
8位。它实现了更高的密度，
更高性能和低功耗的采用CMOS工艺技术（ 6晶体管
存储单元） 。该设备，封装在一个525密耳的SOP （脚打印间距宽度）或400密耳的TSOP II型或
600密耳厚的塑料DIP ，可用于高密度安装。该HM628512C适合备用电池
系统。
特点
5 V单电源
访问时间： 55/70 NS （最大值）
功耗
主动： 10毫瓦/ MHz（典型值）
待机： 4
W
（典型值）
完全静态存储器。无需时钟或定时选通
平等的机会和周期时间
常见的数据输入和输出：三态输出
直接TTL兼容：所有输入和输出
电池备份操作
