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LTC6655
典型应用
扩展的电源电压范围参考
4V至30V
R1
C1
0.1F
LTC6655-2.5
V
IN
V
OUT_F
SHDN
V
OUT_S
GND
扩展的电源电压范围参考
R1
R2
100k 4.7k
V
OUT
C2
10F
6655 TA02
6V至80V
安森美半导体
MMBT5551
0.1F
V
IN
SHDN
V
OUT_F
LTC6655-2.5
V
OUT_S
GND
V
OUT
C2
10F
6655 TA03
BZX84C12
BZX84C12
C1
0.1F
升压输出电流
4V至13.2V
LTC6655-2.5
SHDN
V
OUT_F
V
IN
C1
0.1F
6655 TA05
升压输出电流
Q1
2N2222
V
OUT
C2
4.7F
I
最大
置NPN
C3
0.1F
V
OUT
+ 1.8V至13.2V
C1
1F
R1
220
C4
1F
2N2905
最大35mA
GND
V
OUT_S
R2
1k
V
IN
SHDN
V
OUT_F
LTC6655-2.5
V
OUT_S
GND
V
OUT
C2
10F
6655 TA04
输出电压升压
V
IN
V
OUT
+ 0.5V至13.2V
V
IN
SHDN
GND
V
OUT
=电压选+ 0.002 R
本示例使用2.5V作为
电压选项
V
OUT_F
LTC6655-2.5
V
OUT_S
R
R = 0K至1k
6655 TA07
C1
1F
C2
10F
V
OUT
2.5V至4.5V
FOR r用一个电位计
可以处理2毫安,低噪声和
具有低温度系数
低噪声精密升压电路
V
IN
V
OUT
+ 0.5V至13.2V
V
IN
SHDN
GND
R3
5k
V
OUT
=电压选项 ( 1 + R1 / R2)
本示例使用2.5V作为
电压选项
V
OUT_F
LTC6655-2.5
V
OUT_S
V
OUT
5V
C1
1F
V
IN
LT1677
+
+
R1
10k
R2
10k
C2
10F
R
负载
6655 TA08
R1和R2使用VISHAY TRIMMED
电阻阵列( VSR144或MPM ) 。
用精密的阵列
配合及低TC将有助于
保持较低的漂移。 R3 = R1 || R2
6655fa


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