位置：首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第839页 > IRFBC30ASTRLPBF > IRFBC30ASTRLPBF PDF资料 > IRFBC30ASTRLPBF PDF资料2第4页
IRFBC30AS ， IRFBC30AL ， SiHFBC30AS ， SiHFBC30AL
Vishay Siliconix公司
10000
100
1000
COSS = C + Cgd的
ds
I
SD
，反向漏电流（ A）
V
GS = 0V，
F = 1 MHz的
西塞= C + Cgd的，C
gs
DS短路
CRSS = C
gd
C，电容（pF ）
西塞
100
10
T
J
= 150
°
C
T
J
= 25
°
C
1
科斯
10
CRSS
1
1
10
100
1000
0.1
0.4
V
GS
= 0
V
0.6
0.8
1.0
1.2
V
DS ，漏 - 源
电压
(V)
图。 5 - 典型的电容与漏 - 源极电压
V
SD
，源极到漏极
电压
(V)
图。 7 - 典型的源漏二极管正向电压
20
I
D
= 3.6A
V
DS
= 480V
V
DS
= 300V
V
DS
= 120V
100
V
GS
，栅 - 源
电压
(V)
在这一领域有限
由R
DS （ ON）
16
I
D
，漏电流（ A）
12
10
10us
100us
8
1
1ms
4
0
0
4
8
12
测试电路
见图13
16
20
24
0.1
T
C
= 25 ° C
T
J
= 150 ° C
单脉冲
10
100
10ms
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
图。 6 - 典型栅极电荷与栅极至源极电压
1000
10000
V
DS
，漏 - 源
电压
(V)
图。 8 - 最高安全工作区
www.vishay.com
4
文档编号： 91109
S- 81412 -REV 。 A， 07 -JUL- 08
