IRFBC20S ， SiHFBC20S ， IRFBC20L ， SiHFBC20L
Vishay Siliconix公司
功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
(Ω)
Q
g
（最大值） （ NC ）
Q
gs
（ NC ）
Q
gd
（ NC ）
CON组fi guration
V
GS
= 10 V
18
3.0
8.9
单身
D
特点
600
4.4
表面贴装（ IRFBC20S / SiHFBC20S ）
低调的通孔（ IRFBC20L / SiHFBC20L ）
可在磁带和卷轴（ IRFBC20S / SiHFBC20S ）
动态的dv / dt额定值
150 ° C工作温度
快速开关
全额定雪崩
铅（Pb ） ，免费提供
可用的
RoHS指令*
柔顺
描述
Vishay的第三代功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，低导通电阻和
成本效益。
对D
2
白是一种表面贴装功率封装能力
容纳模具尺寸高达HEX - 4 。它提供了
最高功率能力和尽可能低的
的导通电阻，在任何现有的表面贴装型封装。该
D
2
白是适合的，因为高电流应用其
较低的内部连接性和功耗最高
2.0 W的一个典型的表面安装的应用程序。该
通孔版（ IRFBC20L / SiHFBC20L ）是一种可
对低调的申请。
I
2
PAK （ TO- 262 ）
D
2
PAK （ TO-263 ）
G
G
D
S
S
N沟道
MOSFET
订购信息
包
铅（Pb ） - 免费
SNPB
记
一。请参阅设备的方向。
D
2
PAK （ TO-263 ）
IRFBC20SPbF
SiHFBC20S-E3
IRFBC20S
SiHFBC20S
D
2
PAK （ TO-263 ）
IRFBC20STRLPbF
a
SiHFBC20STL-E3
a
IRFBC20STRL
a
SiHFBC20STL
a
I
2
PAK （ TO- 262 ）
IRFBC20LPbF
SiHFBC20L-E3
IRFBC20L
SiHFBC20L
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
e
漏电流脉冲
A，E
线性降额因子
单脉冲雪崩能量
B，E
雪崩电流
a
Repetiitive雪崩能量
a
最大功率耗散
峰值二极管恢复的dv / dt
C，E
T
A
= 25 °C
T
C
= 25 °C
V
GS
在10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
E
AS
I
AR
E
AR
P
D
dv / dt的
极限
600
± 20
2.2
1.4
8.0
0.40
84
2.2
5.0
3.1
50
3.0
- 55至+ 150
300
d
单位
V
A
W / ℃，
mJ
A
mJ
W
V / ns的
°C
工作结存储温度范围
T
J
, T
英镑
焊接建议（峰值温度）
10秒
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。 V
DD
= 50 V ，起始物为
J
= 25 ° C，L = 31 mH的，R
G
= 25
Ω,
I
AS
= 2.2 A（见图12 ） 。
C.我
SD
≤
2.2 A ， di / dt的
≤
40 A / μs的，V
DD
≤
V
DS
, T
J
≤
150 °C.
。 1.6毫米的情况。
。使用IRFBC20 / SiHFBC20数据和试验条件。
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
文档编号： 91107
S-挂起-REV 。 A， 03军， 08
WORK -IN -PROGRESS
www.vishay.com
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