IRFL9014 ， SiHFL9014
Vishay Siliconix公司
功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
(Ω)
Q
g
（最大值） （ NC ）
Q
gs
（ NC ）
Q
gd
（ NC ）
CON组fi guration
V
GS
= - 10 V
12
3.8
5.1
单身
- 60
0.50
特点
=表面贴装
可用磁带和卷轴
动态的dv / dt额定值
额定重复性雪崩
P沟道
快速开关
易于并联的
S
可用的
RoHS指令*
柔顺
铅（Pb） ，免费提供
描述
SOT-223
G
D
P沟道MOSFET
Vishay的第三代功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，低导通电阻和
成本效益。
采用SOT - 223封装是专为表面贴装
使用气相，红外，或波峰焊技术。
其独特的包装设计，可以很容易地自动
拾取和放置与其他SOT或SOIC封装，但有
改进的热服务表现的附加优点是由于
放大片的散热。更大的功耗
超过1.25 W是可能在一个典型的表面安装
应用程序。
订购信息
包
铅（Pb ） - 免费
SOT-223
IRFL9014PbF
SiHFL9014-E3
IRFL9014
SiHFL9014
SOT-223
IRFL9014TRPbF
a
SiHFL9014T-E3
a
IRFL9014TR
a
SiHFL9014T
a
SNPB
记
一。请参阅设备的方向。
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
a
线性降额因子
线性降额因子（ PCB安装）
e
单脉冲雪崩能量
b
重复性雪崩电流
a
重复性雪崩能量
a
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
E
AS
I
AR
E
AR
V
GS
在 - 10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
极限
- 60
± 20
- 1.8
- 1.1
- 14
0.025
0.017
140
- 1.8
0.31
W / ℃，
mJ
A
mJ
A
单位
V
文档编号： 91195
S- 81412 -REV 。 A， 07 -JUL- 08
www.vishay.com
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