IRFPC40 ， SiHFPC40
Vishay Siliconix公司
功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
(Ω)
Q
g
（最大值） （ NC ）
Q
gs
（ NC ）
Q
gd
（ NC ）
CON组fi guration
V
GS
= 10 V
60
8.3
30
单身
D
特点
600
1.2
动态的dv / dt额定值
额定重复性雪崩
隔离中心安装孔
快速开关
易于并联的
简单的驱动要求
铅（Pb） ，免费提供
可用的
RoHS指令*
柔顺
TO-247
描述
Vishay的第三代功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，低导通电阻和
成本效益。
在TO- 247封装的首选商业工业
应用更高的功率水平排除使用
的TO-220的设备。该TO- 247类似，但优于
早期的隔离安装的TO- 218封装，因为
洞。它也提供了更大之间的爬电距离
销，以满足大多数安全技术规范的要求。
G
S
D
G
S
N沟道
MOSFET
订购信息
包
铅（Pb ） - 免费
SNPB
TO-247
IRFPC40PbF
SiHFPC40-E3
IRFPC40
SiHFPC40
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
a
线性降额因子
单脉冲雪崩能量
b
最大功率耗散
峰值二极管恢复
dv / dt的
c
10秒
6-32或M3螺丝
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
安装力矩
T
C
= 25 °C
E
AS
P
D
dv / dt的
T
J
, T
英镑
V
GS
在10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
极限
600
± 20
6.8
4.3
27
1.2
410
150
3.0
- 55至+ 150
300
d
10
1.1
W / ℃，
mJ
W
V / ns的
°C
磅力·中
N·m的
A
单位
V
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。 V
DD
= 50 V ，起始物为
J
= 25 ° C，L = 16 mH的，R
G
= 25
Ω,
I
AS
= 6.8 A（见图12 ） 。
C.我
SD
≤
6.8 A， di / dt的
≤
80 A / μs的，V
DD
≤
V
DS
, T
J
≤
150 °C.
。从案例1.6毫米
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
文档编号： 91240
S-挂起-REV 。 A， 26军08
WORK -IN -PROGRESS
www.vishay.com
1
