LTC3810
应用信息
在开关电源已激增测试使用
耗材。几个优秀的浪涌测试选用的是
AVX ， TPS和TPSV或KEMET T510系列。铝
电解电容有显着较高的ESR ，但
可以在提供成本驱动的应用程序中使用
考虑到额定纹波电流和长
长期可靠性。其它电容器类型包括松下
SP和三洋POSCAPs 。
输出电压
的LTC3810输出电压由电阻分压器设定
根据下列公式计算：
V
OUT
=
0.8V 1+
R
FB1
R
FB2
高端MOSFET驱动器电源（C
B
, D
B
)
外部自举电容，C
B
时，连接到
BOOST引脚提供栅极驱动电压为上部
MOSFET。该电容通过二极管D充电
B
从
DRV
CC
当交换结点是低的。当高端MOSFET
导通时，开关的节点上升到V
IN
和BOOST引脚
上升到近似V
IN
+ INTV
CC
。自举电容
需要存储大约100倍所需的栅极电荷
通过高端MOSFET 。在大多数应用中0.1μF至0.47μF
,
X5R或X7R电介质电容就足够了。
外部二极管D的反向击穿
B
，必须
是大于V
IN （MAX）
。另一个重要的考虑因素
为外部二极管的反向恢复和反向
泄漏，其中任一个可能引起过度的反向
电流溢流满反向电压。如果反向电流
出租时间反向电压超过最大允许
能够耗散功率，二极管可能会被损坏。为
最好的效果，请使用超快恢复二极管，如
MMDL770T1.
底部MOSFET驱动器返回供应（ BGRTN ）
底部栅极驱动器，血糖，从DRV开关
CC
to
BGRTN其中BGRTN可以是接地端之间的电压
和-5V 。为什么不保持它的简单和始终连接
BGRTN到地面？在高压开关转换器，
开关节点的dV / dt可以有很多伏特/ ns的，这将
向上拉下面的MOSFET的通过门的
米勒电容。如果米勒电流，时间内
在MOSFET加上司机阻力栅极电阻，
超过FET的阈值，击穿将会产生
CUR 。通过使用上BGRTN负电源，则BG可
在地下旋转底部MOSFET关断时拉。
这提供保证金的一些额外的伏在门前
到达MOSFET的导通阈值。请注意
该DRV之间的最大电压差
CC
和
BGRTN为14V 。如果，例如，V
BGRTN
= -2V ，最大
电压DRV
CC
针现在是12V的，而不是14V 。
IC / MOSFET驱动器电源（ INTV
CC
和DRV
CC
)
该LTC3810驱动器是通过DRV提供
CC
和
BOOST引脚（见图3） ，其具有一个绝对马克西
14V的电压妈妈。由于主电源电压V
IN
3810fb
外部电阻分压器被连接到作为输出
在功能框图所示，允许远程电压
感应。所得到的反馈信号与比较
通过内部精密电压为800mV参考
误差放大器连接器。内部基准电压已保证
宽容
< 1％。
反馈电阻的容差
会增加额外的误差输出电压。 0.1％至
1 ％的电阻建议。
输入电压欠压锁定
一个电阻分压器从输入电源的连接
UVIN引脚（见原理图） ，用于编程
输入电源欠压锁定阈值。当
上升的电压UVIN达到0.88V时， LTC3810圈
上，并且当UVIN下降电压低于0.8V ，
该LTC3810被关闭，提供10 ％的滞后。
输入电压UVLO阈值由电阻器来设定
根据下式分压器：
V
IN，降
=
0.8V 1+
和
V
在上升
=
0.88V 1+
R
UV1
R
UV2
R
UV1
R
UV2
如果不需要输入欠压锁定，它可以
通过连接UVIN到INTV被禁用
CC
.
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