LTC3810
应用信息
少大于f
O
，目前正在不断下沉，拉低
该PLL / LPF引脚。如果外部和内部频率
是相同的，但表现出的相位差，电流
源接通的时间量对应于
的相位差。因此，在PLL / LPF电压
销被调整，直到外部的相位和频率
和内部振荡器是相同的。在这个稳定的工作
点的相位比较器的输出是开放的，所述滤波器
电容C
LP
保持电压。该LTC3810 MODE / SYNC
销必须从一个低阻抗源来驱动，如
一个逻辑门电路位于靠近该引脚。
环路滤波器组件（C
LP
, R
LP
）理顺
从相位检测器的电流脉冲，并提供一个
稳定输入到电压控制振荡器。该滤波器
C成分
LP
和R
LP
确定如何快速环路
获得锁。典型地，R
LP
= 10kΩ的和C
LP
为0.01μF
TO 0.1μF
.
脚间隙/爬电注意事项
该LTC3810是在G28包中提供哪些
有相邻引脚之间0.0106"间距。对
最大限度地发挥高电压之间的PC板走线间隙
年龄引脚， LTC3810有三个引脚悬空
所有相邻的高电压和低电压之间
引脚，提供4 （ 0.0106" ）= 0.042"清拆
将SUF网络cient对于大多数应用高达100V 。
欲了解更多信息，请参考印刷电路板
在IPC- 2221 （ www.ipc.org ）描述的设计标准。
英法fi效率的思考
的开关稳压器的百分英法fi效率等于
输出功率由输入功率乘以100％分。
重要的是要分析单个损耗，以确定是非常有用的
是什么限制了英法fi效率以及改变会
产生了最大的改善。尽管所有的耗散
在电路元件产生的损失，四个主要来源
占据了大部分的LTC3810电路的损失：
1.直流我
2
损失。这些源自的电阻
MOSFET，电感器和PC板走线，并导致
EF网络效率下降，在高输出电流。在连续
模式到L的平均输出电流FL OWS ，但
顶部和底部的MOSFET之间斩波。如果两
的MOSFET具有近似相同的R-
DS （ ON）
，然后
一个MOSFET的电阻值可以简单地概括
为L的电阻和电路板走线，以获得
该DC I
2
损失。例如，若R
DS （ ON）
= 0.01Ω和
R
L
= 0.005Ω ，损失将范围从为15mW至1.5W
随着输出电流变化从图1A至10A 。
2.过渡损失。这一损失产生于短暂量
时间的高端MOSFET花费在饱和区
在交换节点的过渡。这取决于
输入电压，负载电流，驱动力和MOSFET
电容等因素。损失是显着的
在输入电压高于20V ，并且可以从被推定
在P的第二个任期
主
公式中的电源发现
MOSFET选择部分。当过渡损失
显着的，英法fi效率可以通过降低改善
频率和/或使用一个高端MOSFET （多个）与低
C
RSS
在较高的R的费用
DS （ ON）
.
3. INTV
CC
/ DRV
CC
电流。这是MOSFET的总和
驱动器和控制电流。控制电流通常
3mA左右和驱动电流可以计算出：我
门
= F （Q
G（ TOP ）
+ Q
G（ BOT ）
） ，其中Q
G（ TOP ）
和Q
G（ BOT ）
是
顶部和底部的MOSFET的栅极电荷。这
损耗正比于电源电压的那个INTV
CC
/
DRV
CC
由，即， V衍生
IN
对于外部的NMOS
线性稳压器，V
OUT
为内部EXTV
CC
法规
器，或V
EXT
当外部电源被连接到
INTV
CC
/ DRV
CC
.
4. C
IN
损失。输入电容具有科幻1-的DIF连接邪教工作
tering到调节器的大输入电流有效值。它
必须具有非常低的ESR ，以减少交流我
2
损失
和后缀科幻cient电容，以防止RMS电流
从造成额外的损失，上游的保险丝或
电池。
其他损失，包括C
OUT
ESR的损耗，肖特基二极管D1
在死区时间和电感磁芯损耗导通损耗
通常占小于2％的附加损耗。当
进行调整，以提高外汇基金fi效率，输入电流
租金变化EF网络效率的最佳指标。如果您
做出改变和输入电流减小，则
英法fi效率有所提高。如果在输入无变化
目前，再有就是在英法fi效率没有变化。
3810fb
31
