LTC3410
应用S我FOR ATIO
其中， L1，L2等是个别的损失以百分数
输入功率。
虽然在电路中产生的所有耗能元件
损失，有两个主要来源通常占多数的
在LTC3410的电路损耗： V
IN
静态电流和我
2
R
损失。在V
IN
静态电流损耗占主导地位
效率损失在非常低的负载电流，而余
2
R
损失占主导地位，在培养基中的效率损失，高负荷
电流。在一个典型的效率图，在效率曲线
非常低的负载电流可以是因为实际的误导
功率丢失是无关紧要的，如图3 。
1. V
IN
静态电流是由于两个部件：
的DC偏置电流在电气特性中给出
istics和内部主开关和同步
开关栅极充电电流。栅极充电电流
从开关的栅极电容结果
内部功率MOSFET开关。每次栅极是
从高再次切换到从低到高，一包
充电，DQ ，从V移动
IN
到地面。由此产生的
DQ / dt为电流输出的V
IN
即通常大于
的DC偏置电流。在连续模式下，
I
GATECHG
= F （Q
T
+ Q
B
）其中Q
T
和Q
B
是
内部的顶部和底部的栅极电荷
开关。二者的直流偏置和栅极电荷
损耗正比于V
IN
因此它们的作用将
在较高的电源电压更加明显。
1
V
IN
= 3.6V
0.1
功率损耗（ W）
0.01
0.001
0.0001
0.00001
0.1
图3.功率损耗与负载电流
10
U
2. I
2
损失由的电阻计算
内部开关，R
SW
和外部电感
L
。在
连续模式下，平均的输出电流流过
通过电感L的主体之间的“斩”
开关和同步开关。因此，该系列
阻力寻找到SW引脚是两者的功能
顶部和底部的MOSFET
DS （ ON）
和占空比
（直流）如下：
R
SW
= (R
DS （ ON） TOP
）（直流） + P（R
DS （ ON） BOT
）（ 1 - 直流）
第r
DS （ ON）
对于顶部和底部的MOSFET可以
从典型性能特点酒色获得
曲线。因此，为了获得我
2
损失，只需加上R
SW
to
R
L
和由平均的平方相乘的结果
输出电流。
其他损失包括C
IN
和C
OUT
ESR耗散
损耗和电感磁芯损耗一般占不到
超过2 ％的总附加损耗。
散热注意事项
在大多数应用中， LTC3410不消耗
多的热量，由于其高效率。但是，在应用程序
其中， LTC3410在较高的环境运行
温度低的电源电压和高占空比
周期，例如在压差时，热消散的可能
超过该部分的最大结温。如果
V
OUT
= 3.3V
V
OUT
= 1.8V
V
OUT
= 1.2V
10
100
1
负载电流（mA ）
1000
3410 F03
W
U U
3410fb
