DS22EV5110
绝对最大额定值
（注1 ）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
电源电压（V
DD
)
LVCMOS输入电压
LVCMOS输出电压
CML输入/输出电压
结温
储存温度
铅温度。 （焊接， 5秒）
-0.5V至4.0V
-0.5V至（Ⅴ
DD
+ 0.5) V
-0.5V至（Ⅴ
DD
+ 0.5) V
-0.5V至（Ⅴ
DD
+ 0.5) V
+125°C
-65 ° C至+ 150°C
+260°C
ESD额定值
HBM ， 1.5 kΩ的， 100 pF的
热阻
θ
JA
，没有气流
>8千伏
33°C/W
推荐工作
条件
（注3,4）
电源电压
(V
DD
到GND）
电源噪声容限
（100赫兹到50兆赫）
环境温度
民
3.135
典型值
3.3
100
0
25
+70
最大
3.465
单位
V
MVP -P
°C
电气特性
在推荐，除非另有规定工作电源和温度范围内。所有参数都通过测试保证，
统计分析，或设计，除非另有规定。 （注3）
符号
动力
EN = H ，设备启用
PRBS15模式， FCLK = 225
兆赫
RT = 50Ω至AV
CC
,
图2
EN = L时，待机模式
PRBS15模式， FCLK = 225
兆赫
RT = 50Ω至AV
CC
,
图2
参数
条件
民
典型值
最大
单位
1000
1150
mW
P
电源
消费
750
900
mW
LVCMOS / LVTTL DC规格
VIH
VIL
VOH
VOL
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
低电平输出
电压
IOH = -3毫安
IOL = 3毫安
2
GND
2.4
0.4
V
DD
0.8
V
V
V
V
IIH
VIN = V
DD
， EQ2 ， EQ1 ， EQ0 ，
DE1 ， DE0 ，旁路引脚
输入高电流
（下拉）
VIN = V
DD
， EN引脚（拉）
VIN = 0 V ， EQ2 ， EQ1 ， EQ0 ，
DE1 ， DE0 ，旁路引脚
输入低电平电流
（下拉）
VIN = 0 V ， EN引脚（拉）
-20
-15
60
mA
mA
IIL
15
μA
μA
信号检测
SDH
SDL
默认的输入信号电平来
信号检测断言高标清销
默认的输入信号电平来
信号检测低撤消SD
80
20
MVP -P
MVP -P
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4
