INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
民
典型值。
2SA764
最大
单位
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= -10mA ;我
B
=0
-60
V
V
（ BR ） CBO
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= -1mA ，我
E
=0
-60
V
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= -4A ;我
B
=-0.4A
-1.5
V
V
BESAT
基射极饱和电压
I
C
= -4A ;我
B
=-0.4A
-2.0
V
I
CBO
集电极截止电流
V
CB
= -60V ;我
E
=0
-10
μA
I
EBO
发射极截止电流
V
EB
= -6V ;我
C
=0
-10
μA
h
FE
直流电流增益
I
C
= -1A ; V
CE
=-4V
50
f
T
跃迁频率
I
C
= -0.5A ; V
CE
=-12V
10
兆赫
2
