SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
条件
民
BU2507AF
符号
典型值。
最大
单位
V
CEO （ SUS ）
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
V
BESAT
I
CES
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
C
C
集电极 - 发射极电压维持
I
C
= 100毫安，我
B
=0,L=25mH
I
B
= 1毫安，我
C
=0
I
C
= 4A ，我
B
=0.8 A
I
C
= 4A ，我
B
=0.8 A
V
CE
ΔBV
CES ;
V
BE
=0
T
C
=125
V
EB
= 7.5V ;我
C
=0
I
C
= 0.1A ; V
CE
=5V
I
C
= 4A ; V
CE
=5V
f=1MHz;V
CB
=10V
700
V
发射极 - 基极击穿电压
7.5
13.5
V
集电极 - 发射极饱和电压
5.0
V
基米特饱和电压
1.1
1.0
2.0
1.0
V
集电极截止电流
mA
发射极截止电流
mA
直流电流增益
17
直流电流增益
5
7
9
集电极输出电容
68
pF
2
