INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
（ BR ） CEO
V
CEsat-1
V
CEsat-2
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
条件
I
C
= -50mA ，我
B
=0
I
C
= -3A ，我
B
=-6mA
B
2SB674
民
-80
典型值。
最大
单位
V
-0.95
-1.3
-1.55
-1.5
-2.0
-2.5
-0.1
-4.0
V
V
V
mA
mA
I
C
= -7A ，我
B
=-14mA
B
I
C
= -3A ，我
B
=-6mA
B
V
CB
= -80V ，我
E
=0
V
EB
= -5V ;我
C
=0
I
C
= -3A ; V
CE
=-3V
I
C
= -7A ; V
CE
=-3V
2000
1000
15000
开关时间
t
on
t
英镑
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
I
B1
=-I
B2
=-6mA
V
CC
=-45V,R
L
=15Ω
0.8
2.0
2.5
μs
μs
μs
2
