恩智浦半导体
产品数据表
PNP达林顿晶体管
BST60 ; BST61 ; BST62
手册，全页宽
6000
MGD839
的hFE
5000
4000
3000
2000
1000
0
10
1
V
CE
=
10
V.
1
10
10
2
IC （MA ）
10
3
图2直流电流增益;典型值。
手册，全页宽
VBB
VCC
RB
示波器
Vi
R1
（探头）
450
Ω
R2
RC
Vo
（探头）
450
Ω
DUT
示波器
MGD624
V
i
=
10
V ; T = 200
μs;
t
p
= 6
μs;
t
r
= t
f
≤
3纳秒。
R1 = 56
Ω;
R2 = 10 kΩ的;
B
= 10 kΩ的;
C
= 18
Ω.
V
BB
= 1.8 V; V
CC
=
10.7
V.
示波器：输入阻抗Z
i
= 50
Ω.
图3测试电路的开关时间。
2004年12月9日
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