晶体管
2SD2074
NPN硅外延平面型
对于低频输出放大
0.15
单位：mm
6.9±0.1
0.7
4.0
1.05 2.5±0.1
±0.05
(1.45)
0.8
0.5
4.5±0.1
0.45
–0.05
2.5±0.1
静音
用于DC-DC转换器
q
q
q
0.45
–0.05
+0.1
+0.1
2.5±0.5
2.5±0.5
2
3
s
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
*
(Ta=25C)
评级
25
20
12
1
0.5
1
150
–55 ~ +150
单位
V
V
V
A
A
W
C
C
1
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CP
I
C
P
C
T
j
T
英镑
注意：除了
所示引线型
上图所示，
在如图所示键入
下图是
也可提供。
1 ：发射器
2 ：收藏家
3 ：基本
MT2类型封装
1.2±0.1
0.65
马克斯。
0.45
+0.1
– 0.05
印刷电路板：为1cm铜箔区
2
以上，板
厚度1.7毫米的集电极部
（ HW型）
s
电气特性
参数
收藏家Cuto FF电流
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
正向电流传输比
集电极到发射极饱和电压
基地发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
ON resistanse
(Ta=25C)
符号
I
CBO
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
h
FE1*1
h
FE2
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
f
T
C
ob
R
on*3
*3
R
on
条件
V
CB
= 25V ，我
E
= 0
I
C
= 10μA ，我
E
= 0
I
C
= 1mA时，我
B
= 0
I
E
= 10μA ，我
C
= 0
V
CE
= 2V ，我
C
= 0.5A
*2
V
CE
= 2V ，我
C
= 1A
*2
I
C
= 0.5A ，我
B
= 20mA下
I
C
= 0.5A ，我
B
= 50毫安
V
CB
= 10V ，我
E
= -50mA ， F = 200MHz的
V
CB
= 10V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
民
典型值
最大
100
14.5±0.5
q
低集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
.
低导通电阻R
on
.
高盼着电流传输比H
FE
.
让供应与径向录音。
0.65最大。
1.0 1.0
s
特点
0.2
单位
nA
V
V
V
25
20
12
200
60
0.13
0.4
1.2
200
10
1.0
800
V
V
兆赫
pF
测量电路
1k
*2
脉冲测量
*1
h
FE1
等级分类
R
200 ~ 350
S
300 ~ 500
T
400 ~ 800
I
B
=1mA
f=1kHz
V=0.3V
秩
h
FE1
V
B
V
V
V
A
R
on
=
V
B
!1000()
V
A
–V
B
1
