ADS8331
ADS8332
SBAS363 - 2009年12月
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电气特性： VA = 2.7V （续）
在T
A
= -40 ° C至+ 85°C ， VA = 2.7V ， VBD = 1.65V至2.7V ，V
REF
= 2.5V和f
样品
= 500KSPS ，除非另有说明。
ADS8331I ， ADS8332I
参数
时钟
内部转换时钟
频率
作为唯一的I / O时钟
SCLK外部串行时钟
作为两个I / O和时钟
转换时钟
1
10.5
11
12.2
25
21
1
10.5
11
12.2
25
21
兆赫
兆赫
兆赫
测试条件
民
典型值
最大
ADS8331IB ， ADS8332IB
民
典型值
最大
单位
外部参考电压输入
V
REF
输入
参考
范围
(5)
阻力
(6)
（ REF + ） - （ REF- ）
（ REF- ） - AGND
参考输入
1.2
–0.1
20
2.525
0.1
1.2
–0.1
20
2.525
0.1
V
V
k
数字输入/输出
逻辑系列
V
IH
V
IL
I
I
C
I
V
OH
V
OL
C
O
C
L
高电平输入电压
低电平输入电压
输入电流
输入电容
高电平输出电压
低电平输出电压
SDO引脚电容
负载电容
数据格式
电源要求
VA
VBD
模拟电源电压
(5)
数字I / O电源电压
f
样品
= 500KSPS
f
样品
= 250ksps的中
自动打盹模式
IA
模拟电源电流
小睡模式， SCLK = VBD或
DGND
深PD模式， SCLK = VBD
或DGND
f
样品
= 500KSPS
IBD
数字I / O电源电流
f
样品
= 250ksps的中
自动打盹模式
VA = 2.7V ， VBD = 1.65V ，
f
样品
= 500KSPS
功耗
VA = 2.7V ， VBD = 1.65V ，
f
样品
= 250ksps的中
自动打盹模式
2.7
1.65
5.2
3.2
325
50
0.1
0.05
14.2
18.2
400
250
0.4
3.6
VA + 0.2
6.5
2.7
1.65
5.2
3.2
325
50
0.1
0.05
14.2
18.2
400
250
0.4
3.6
VA + 0.2
6.5
V
V
mA
mA
μA
nA
mA
mA
mW
直接二进制
VA
≥
VBD
≥
1.65V,
I
O
= 100μA
VA
≥
VBD
≥
1.65V,
I
O
= –100μA
Hi-Z状态
VBD - 0.6
0
5
30
直接二进制
VA
≥
VBD
≥
1.65V
VA
≥
VBD
≥
1.65V
V
IN
= VBD或DGND
0.65 ×
（ VBD ）
–0.3
–50
5
VBD
0.4
VBD - 0.6
0
5
30
CMOS
VBD + 0.3
0.25 ×
（ VBD ）
50
0.65 ×
（ VBD ）
–0.3
–50
5
VBD
0.4
CMOS
VBD + 0.3
0.25 ×
（ VBD ）
50
V
V
nA
pF
V
V
pF
pF
8.72
8.72
mW
温度范围
T
A
工作自由空气的温度
–40
+85
–40
+85
°C
(5)
(6)
该ADS8331 / 32工作在VA 2.7V和5.5V之间，和V
REF
与1.2V和VA 。但是，该设备可能无法满足
列在电气特性的详细规格VA为3.6V和4.5V之间。
可以相差± 30 ％ 。
4
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