TSDF2020W
威世半导体
电气直流特性
T
AMB
= 25℃ ，除非另有说明
参数
集电极截止电流
集电极 - 基极截止电流
发射极 - 基极截止电流
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
直流正向电流传输比
测试条件
V
CE
= 5 V, V
BE
= 0
V
CB
= 5 V，I
E
= 0
V
EB
= 1 V，I
C
= 0
I
C
= 1毫安，我
B
= 0
I
C
= 30 mA时，我
B
= 3毫安
V
CE
= 2 V，I
C
= 20毫安
符号
I
CES
I
CBO
I
EBO
V
（ BR ） CEO
V
CESAT
h
FE
50
3.5
0.1
100
0.25
150
分钟。
典型值。
马克斯。
100
100
1
单位
A
nA
A
V
V
AC电气特性
T
AMB
= 25℃ ，除非另有说明
参数
跃迁频率
集电极 - 基极电容
发射极 - 基极电容
噪声系数
功率增益，
最大稳定增益
传感器增益
三阶截点
在输出
1 dB压缩点
*) G
ms
= | S
21e
/S
12e
|
测试条件
V
CE
= 2 V，I
C
= 30 mA时， F = 1 GHz的
V
CB
= 2 V ， F = 1兆赫
V
EB
= 0.5 V ， F = 1兆赫
V
CE
= 2 V，I
C
= 5毫安，
Z
S
= Z
SOPT
, Z
L
= Z
LOPT
， F = 2 GHz的
符号
f
T
C
cb
C
ce
C
eb
F
分钟。
20
典型值。
25
0.15
0.4
0.6
1.1
20
14
17
22
12
0.3
马克斯。
单位
GHz的
pF
pF
pF
dB
dB
dB
DBM
DBM
集电极 - 发射极电容V
CE
= 2 V ， F = 1兆赫
V
CE
= 2 V，I
C
= 20毫安，
G
pe
= G
ms
*)
Z
S
= Z
SOPT
, Z
L
= Z
LOPT
， F = 2 GHz的
V
CE
= 2 V，I
C
= 20毫安，
Z
S
= Z
L
= 50
,
F = 2 GHz的
V
CE
= 2 V，I
C
= 20毫安，
Z
S
= Z
L
= 50
,
F = 2 GHz的
V
CE
= 2 V，I
C
= 20毫安，
Z
S
= Z
L
= 50
,
F = 2 GHz的
| S
21e
|
2
IP
3
P
–1dB
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文档编号85084
第3版， 02月， 02
