大陆设备印度有限公司
一个IS / ISO 9002和IECQ认证的制造商
IS / ISO 9002
里克＃ QSC / L- 000019.2
IS / IECQC 700000
IS / IECQC 750100
NPN硅外延功率晶体管
CDD2061
(9AW)
TO-220
专为自动对焦功率放大器。
绝对最大额定值（Ta = 25deg C）
描述
符号
VCBO
集电极基极电压
VCEO
集电极发射极电压
VEBO
发射极 - 基极电压
IC
集电极电流
ICP
PEAK
PC
功率耗散@ TA = 25℃
功耗@ TC = 25℃
Tj
结温
TSTG
存储温度范围
电气特性（TA = 25℃除非指定）
描述
符号
测试条件
VCEO
IC = 1mA时， IB = 0
集电极 - 发射极电压
VCBO
IC = 50uA的， IE = 0
集电极 - 基极电压
VEBO
IE=50uA,IC=0
发射极电压
ICBO
VCB = 60V ， IE = 0
收藏家切断电流
IEBO
VEB=4V,IC=0
发射器切断电流
IC=2A,IB=0.2A
集电极 - 发射极饱和电压
VCE （ SAT ）
VBE （ SAT ）
IC = 2A ， IB = 0.2A
基极发射极饱和电压
的hFE
IC = 0.5A ， VCE = 5V
直流电流增益
动态特性
ft
VCE=5V,IC=0.5A,
跃迁频率
f=5MHz
COB
VCB = 10V ， IE = 0
集电极输出电容
f=1MHz
的hFE分类： -
标记：
D : 60 -120;
CDD
2061
D
E : 100 -200;
CDD
2061
E
价值
80
60
5.0
3.0
6.0
2.0
30
150
-55到+150
民
60
80
5.0
-
-
-
-
60
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
8.0
70
最大
-
-
-
10
10
1.0
1.5
500
-
-
单位
V
V
V
A
A
W
W
摄氏度
摄氏度
单位
V
V
V
uA
uA
V
V
兆赫
pF
F: 160-320;
CDD
2061
F
G : 250-500
CDD
2061
G
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数据表
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