恩智浦半导体
SE98A
DDR内存模块，温度传感器， 1.7 V至3.6 V
1
SCL
SDA
S
开始
按主机
1
SCL
SDA
按主机
D15
A6
2
3
4
5
6
7
8
9
1
2
3
4
5
6
7
8
9
（续）
A5
A4
A3
A2
A1
A0
W
A
D7
确认
按设备
8
9
1
D6
D5
D4
D3
D2
D1
D0
A
（续）
设备地址和写
2
3
4
5
6
7
写寄存器地址
2
3
4
5
6
7
确认
按设备
8
9
D14
D13
D12
D11
D10
D9
D8
A
确认
按设备
D7
D6
D5
D4
D3
D2
D1
D0
A
P
确认
停止
通过装置按主机
002aab412
最显著字节数据
最显著字节数据
A = ACK =应答位。 W =写入位= 0 R = Read位= 1 。
图9 。
的SMBus / I
2
C总线写入指针寄存器后写数据字
1
SCL
SDA
S
开始
按主机
1
SCL
SDA
SR
反复
开始
按主机
SCL
SDA
D15
A6
A6
2
3
4
5
6
7
8
9
1
2
3
4
5
6
7
8
9
（续）
A5
A4
A3
A2
A1
A0
W
A
确认
按设备
D7
D6
D5
D4
D3
D2
D1
D0
A
（续）
确认
按设备
设备地址和写
2
3
4
5
6
7
8
读寄存器地址
9
（续）
A5
A4
A3
A2
A1
A0
R
A
确认
按设备
（续）
设备地址和读
1
2
3
4
5
6
7
8
9
1
2
3
4
5
6
7
8
9
D14
D13
D12
D11
D10
D9
D8
A
确认
按主机
D7
D6
D5
D4
D3
D2
D1
D0
NA
P
NACK STOP
由主机通过主机
002aab413
回到最显著字节数据
回到最显著字节数据
A = ACK =应答位。 NA =不应答位。 W =写入位= 0 R = Read位= 1 。
图10的SMBus / I
2
C总线写指针寄存器后重复启动和即时数据字读
SE98A_2
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牧师02 - 2009年8月6日
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