SG1644/SG2644/SG3644
应用信息
功耗
该SG1644 ，同时更加节能得比较早金掺杂
驱动IC的，还可以消散，因为相当大的权力了
在高频率高的峰值电流的能力。总功率
耗散在任何特定的应用程序将是直流的总和或
稳态功耗，并引起AC散热
驱动容性负载。
直流功耗由下式给出：
P
DC
= +V
CC
· I
CC
[1]
在那里我
CC
是驱动状态的功能，并且因此是占空比
依赖。
交流电源耗散正比于切换频
昆西，负载电容，和输出的方
电压。在大多数应用中，该驱动程序是在不断变化
状态，和AC贡献变为主导时
频率超过100-200KHz 。
该SG1644驱动器系列可在多种封装形式为
适应广泛的工作温度范围和权力
散热要求。的绝对最高配置部分
数据表包括两个图形，以帮助设计人员在选择一个
相应的软件包为他设计的。
设计者应首先确定实际功耗
驾驶员通过参照该曲线的数据表与
工作电流供给电压，开关频率，并
容性负载。从拍摄数据生成这些曲线
实际设备。然后，设计者可以参照绝对
最大热功耗曲线图来选择封装类型，
并确定是否需要热沉。
设计实例
鉴于：两个2500pF的负载必须驱动推挽从+15伏
供应量为100KHz 。该应用程序是一个商用其中
最高环境温度为+ 50℃，并花费一点很
坦。
1.从图11中，平均驱动电流消耗
在这些条件下将18毫安，并且功耗
将15volts X 18毫安，或270MW 。
2.在环境热特性曲线，可以看出
该M个包，这是一个8管脚塑料DIP与铜
引线框架，拥有超过不够热导
结到环境，以支持在运行环境温度
TURE + 50 ℃。该SG36446M驱动程序会为这个指定
应用程序。
电源旁路
由于SG1644可以提供根据上述3安培峰值电流
一些负载条件下，适当的电源旁路是必需的
正确的操作。两个电容器并联，建议
保证低电源阻抗在很宽的带宽：一个0.1μF
陶瓷圆盘电容器，高频和4.7μF固体
钽电容器储存能量。在军事应用中，一
CK05 CK06或陶瓷经营者与企业社会责任13钽电容
器是一种有效的组合。对于商业应用，任何
低电感陶瓷电容磁盘合作与斯普拉格
150D或相当的低ESR电容会很好地工作。该
电容必须尽可能靠近的身体可能的
V
CC
针，带举行联合牵头和印刷电路板走线的长度
小于0.5英寸。
接地注意事项
该SG1644来实现很高的峰值电流为能力
容性负载会导致对不良的负瞬态
逻辑和权力的理由。为了避免这种情况，一个低电感
接地路径，应考虑为每个输出返回
高峰值电流回它自己的接地点。地平面
建议以获得最佳性能。如果对于一个地面空间
平面不可用，使得所述路径尽可能短和一样宽
可能。逻辑地可以被返回到电源旁路
电容器和在一个点上的功率理由进行连接。
逻辑接口
在1644年的逻辑输入被设计成接受标准DC-
加上5伏的逻辑摆幅，无需加速电容。
如果输入信号电压超过6伏时，输入管脚必须
保护，防止过电压状态为高电平。或
高速阻断二极管必须使用，或电阻分压器
衰减逻辑摆动是必需的。
布局FOR HIGH SPEED
该SG1644可以产生比较大的电压偏移
上升和下降时间约20至30纳秒光
的容性负载。这些时域信号的傅立叶分析
将显示强劲的能量成分的频率多
比基本开关频率较高。这些高频时
资本投资者入境计划可诱发振荡在一个理想的，否则脉冲是否有足够的
电感发生在信号路径中（无论是正信号
跟踪或接地回路） 。过冲的上升沿
不可取
因为过量的驱动电压可能会破裂
的功率MOSFET的栅极氧化物。后缘是冲
危险的，因为负电压偏移可以呈递
偏压驱动器的寄生的PN衬底二极管，有可能
导致运行不稳定或彻底失败。
振铃可以被减少或消除通过减少信号路径
电感，并通过使用驱动器之间的阻尼电阻
输出和容性负载。电感可以通过减少
保持走线长度短，走线宽度宽，并用2盎司
铜如果可能的话。为临界阻尼电阻器的值可以是
由下式计算：
R
D
= 2√L / C
L
[2]
其中L是总信号线的电感，而C
L
是负载
电容。在10和100欧姆值通常
足够了。廉价的碳质电阻器是最好的
因为它们具有优异的高频特性。
它们应位于尽可能接近到栅极端子
的功率MOSFET。
REV 1.2A
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1997
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