
单芯片型内置式FET开关稳压器
高效率升压型开关
调节器内置功率MOSFET
BD8314NUV
No.09027EAT09
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概述
ROHM的高效率升压型开关稳压器内置功率MOSFET BD8314NUV产生升压输出
从4节电池,包括8 V或10 V ,电池等Li1cell或Li2cell等或5 V的固定电源线。
该IC可以很容易生产的小和大范围的输出电流,并配备有一个外部线圈/电容器
通过1.2 MHz的灵活的阶段高频率操作,内置2.5 A额定80 mΩ的N沟道FET SW和缩小
薪酬体系在船上。
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特点
1 )采用N沟道FET能够承受2.5 A / 14 V的
2 )集成了输入和误差放大器的输出之间的相位补偿装置。
3)小线圈和电容器中使用由1.2 MHz的高频率操作
4 )输入电压为3.0 V - 12 V
5 )输出电流600毫安( 3.5 V - 10 V) ,在10 V
600毫安( 3.0 V - 8 V)在8 V
6 )采用软启动功能。
7 )采用定时锁定系统短路保护功能。
VSON010V3030
8)小至3mm
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儿子10引脚封装
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应用
一般的便携式设备,如DSC / DVC搭载4干电池或Li2cell
“操作
条件( TA = 25 ° C)
参数
电源电压
输出电压
“绝对
最大额定值
参数
最大施加电源电压
最大输入电压
最大输入电流
功耗
工作温度范围
存储温度范围
结温
符号
VCC , LX
SWOUT ,
INV
Iinmax
Pd
TOPR
TSTG
TJMAX
等级
14
14
2.5
700
-25至+85
-55到+150
+150
单位
V
V
A
mW
°C
°C
°C
符号
VCC
VOUT
电压范围
3.0 12
4.0 12
单位
V
V
* 1当在Ta = 25 ℃,使用以上安装在74.2 × 74.2 × 1.6
t
mm的电路板,评级由5.6毫瓦/°C的降低。
*以上规格如有变更,恕不预先通知的修改等原因。
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