BCW70LT1G
通用晶体管
PNP硅
特点
这些器件是无铅，无卤素/无溴化阻燃剂和符合RoHS
柔顺
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最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
连续
符号
V
首席执行官
V
EBO
I
C
价值
45
5.0
100
单位
VDC
VDC
MADC
1
BASE
集热器
3
2
辐射源
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局
（注1 ）T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
器件总功耗氧化铝
基板， （注2 ） @T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
结温和存储温度
符号
P
D
最大
225
1.8
R
qJA
P
D
556
300
2.4
R
qJA
T
J
, T
英镑
417
55
+150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
SOT- 23 （ TO- 236AB ）
CASE 318
类型6
1
2
3
标记图
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1， FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062英寸
2.氧化铝= 0.4× 0.3× 0.024英寸99.5 ％的氧化铝
H2 M
G
G
1
H2 =器件代码
M =日期代码*
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
*日期代码的方向和/或横线可能会有所不同
根据生产地点。
订购信息
设备
BCW70LT1G
包
SOT23
（无铅）
航运
3000 /磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2009年
2009年8月
第3版
1
出版订单号：
BCW70LT1/D
