BU7265G,BU7265SG,BU7271G,BU7271SG,
BU7411G,BU7411SG,BU7421G,BU7421SG
技术说明
●降额
曲线
功耗（总损耗）表示可以通过集成电路在Ta被消耗掉的功率= 25 ℃ （常温） .IC加热
当它消耗的功率，和IC船舶的温度比周围温度高。该温度
可以通过IC芯片被接受取决于电路结构，制造工艺，和消耗的功率是有限的。
功耗由在IC芯片（最大结点温度）和热使温度确定
封装（散热能力）的阻力。最大结温度通常等于最大
在存储封装（散热性）值。最大结温度通常等于
在存储温度范围内的最大值。由集成电路所消耗的功率产生的热量从模具树脂辐射或
封装的引线框架。这表示在此散热性（热释放的硬度）的参数被称为
热敏电阻，用符号表示的
θJ -A [ ℃ / W] 。
IC的封装内的温度可以通过估计
这个热阻。
图98 （ a）示出了封装的热电阻的模型。热电阻
θJA ，
周围温度Ta ，结
温Tj和功耗的Pd ，可以计算由下式：
θJA
= （ TJ - Ta）的/钯
[℃/W]
(Ⅰ)
在图98 （二）衰减曲线表明功率能够由集成电路所消耗，参照环境温度。力量
可以通过集成电路消耗开始衰减，在某些环境温度。这种梯度是通过热测定
阻力
θJA 。
热阻
θJA
取决于芯片大小，功耗，封装，环境温度，包
条件下，风速等，即使在同一个包中被使用。热还原曲线表示的参考值
在指定的条件下进行测定。图99 （ C） - （D ）显示为BU7265的家庭， BU7271family的一个例子的降额曲线，
BU7411family ， BU7421family 。
[W]
IC的功耗
θJA
=
（ TJ的Ta ） / PD [
℃
/ W]
－
PD （最大）
P2
θja2
<θja1
环境温度Ta [
℃
]
包装脸温度Ta [
℃
]
P1
θja1
θja2
TJ（MAX）
芯片表面温Tj [
℃
]
消耗功率PD [ W]
0
25
50
75
100
125
150
BU7265/BU7271
BU7411/BU7421
BU7411/BU7421
TJ（MAX）
环境temperatureTa [
℃
]
（一）热电阻
（二）降额曲线
图98热阻和降额
800
800
功耗[毫瓦。
540［mW½
功耗[毫瓦。
540[mW]
600
600
400
400
200
200
0
0
50
环境温度[ ℃ ]
0
85
100
150
0
50
100
105
150
环境温度[
℃
]
（三） BU7265G BU7271G
BU7411G BU7421G
（四） BU7265SG BU7271SG
BU7411SG BU7421SG
1/θja
5.4
单位
[毫瓦/ ℃ ]
当使用上面的Ta = 25 ℃ ]的单位，减去上述每度[ ℃ ]的值。允许的耗散值
当FR4玻璃环氧树脂板70毫米] ×70 [ MM] × 1.6 [ MM] （低于3 [％]库珀箔区）安装
图99降额曲线
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