三菱半导体
\u003c TRIAC \u003e
BCR20KM
请参见第6页，以保证产品
最高结温150℃
中功率使用
绝缘型，平面型钝化
10
2
7
5
3
2
100 (%)
GATE特性
(Ι,
ΙΙ
和
ΙΙΙ)
门极触发电流VS.
结温
10
3
7
5
3
2
典型的例子
栅极电压（ V）
V
GM
= 10V
P
GM
= 5W
P
G（ AV ）
=
0.5W
I
GM
=
2A
I
FGT我，
I
RGT我，
I
RGT III
10
1
7
5
3
2
门极触发电流（T
j
= T ° C）
门极触发电流（T
j
= 25°C)
V
GT
= 1.5V
10
2
7
5
3
2
I
FGT我
10
0
7
5
3
2
I
RGT我
I
RGT III
V
GD
= 0.2V
10
–1 1
10
2 3 5 7
10
2
2 3 5 7
10
3
2 3 5 7
10
4
栅极电流（毫安）
10
1
–60 –40 –20 0 20 40 60 80 100 120 140
结温（ ° C）
100 (%)
门极触发电压Vs
结温
10
3
7
5
4
3
2
10
2
7
5
4
3
2
10
1
–60 –40 –20 0 20 40 60 80 100 120 140
结温（ ° C）
典型的例子
瞬态热阻抗（ ℃/ W）
门极触发电压（T
j
= T ° C）
门极触发电压（T
j
= 25°C)
最大瞬态热
阻抗特性
（结点到外壳）
10
2
2 3 5 7
10
3
2 3 5 7
10
4
2 3
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
10
–1
2 3 5 7
10
0
2 3 5 7
10
1
2 3 5 7
10
2
导通时间
（周期为60Hz ）
最大导通功率
耗散
允许外壳温度
VS. RMS通态电流
160
曲线适用于基于何种
导通角140
通态功耗（ W）
40
30 360°
传导
电阻式，
电感
20荷载
外壳温度（ ° C）
15
20
25
30
120
100
80
60
360°
40传导
电阻式，
20 INDUCTIVE
负载
0
0
5
10
15
10
0
0
5
10
20
25
30
RMS通态电流（A ）
RMS通态电流（A ）
2002年3月
