Si1305DL
Vishay Siliconix公司
P沟道1.8 -V （G -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
r
DS （ ON）
(W)
0.280 @ V
GS
=
4.5
V
8
0.380 @ V
GS
=
2.5
V
0.530 @ V
GS
=
1.8
V
特点
I
D
(A)
0.92
0.79
0.67
D
TrenchFETr功率MOSFET ： 1.8 V额定
RoHS指令
柔顺
SOT-323
SC- 70 （ 3 -信息）
G
1
3
标识代码
YY
很多可追溯性
和日期代码
零件编号代码
顶视图
订货信息： Si1305DL - T1
Si1305DL - T1- E3 （铅（Pb ） - 免费）
D
LB
XX
S
2
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
连续二极管电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
5秒
稳定状态
8
"8
单位
V
0.92
0.74
3
0.28
0.34
0.22
55
150
0.86
0.69
A
0.24
0.29
0.19
W
_C
热电阻额定值
参数
最大
M I
结到环境
a
TI T A双向吨
最大结到脚（漏极）
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
文档编号： 71076
S- 51075 -REV 。 D， 13军05
www.vishay.com
t
v
5秒
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJF
典型
315
360
285
最大
375
430
340
单位
° C / W
C / W
1
