Si1305DL
Vishay Siliconix公司
P沟道1.8 -V （G -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
r
DS （ ON）
(W)
0.280 @ V
GS
= - 4.5 V
-8
0.380 @ V
GS
= - 2.5 V
0.530 @ V
GS
= - 1.8 V
I
D
(A)
- 0.92
- 0.79
- 0.67
SOT-323
SC- 70 （ 3 -信息）
G
1
标识代码
LB
XX
YY
很多可追溯性
和日期代码
零件编号代码
顶视图
3
D
S
2
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
连续二极管电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
P
D
T
J
, T
英镑
T
A
= 25_C
I
D
T
A
= 70_C
I
DM
I
S
- 0.28
0.34
0.22
- 55 150
- 0.74
-3
- 0.24
0.29
0.19
W
_C
- 0.69
A
符号
V
DS
V
GS
5秒
-8
稳定状态
单位
V
"8
- 0.92
- 0.86
热电阻额定值
参数
t
v
5秒
最大
M I
结到环境
a
TI T A双向吨
最大结到脚（漏极）
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
文档编号： 71076
S- 03721 -REV 。 C， 07 -APR- 03
www.vishay.com
稳定状态
稳定状态
R
thJA
R
thJF
符号
典型
315
360
285
最大
375
430
340
单位
° C / W
C / W
2-1
