Si1902DL
Vishay Siliconix公司
典型特征
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
1.0
100
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
Ω
)
- 电容（pF ）
0.8
80
C
国际空间站
60
0.6
V
GS
= 2.5 V
0.4
V
GS
= 4.5 V
40
C
OSS
0.2
20
C
RSS
0.0
0.0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0
4
8
12
16
20
I
D
- 漏极电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
5
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 10 V
I
D
= 0.66 A
4
r
DS （ ON）
- 导通电阻
（归一化）
1.4
1.6
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 0.66 A
电容
3
1.2
2
1.0
1
0.8
0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
0.6
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
总
栅极电荷（ NC）
T
J
=结温（ ° C）
栅极电荷
1
1.0
导通电阻与结温
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
Ω)
0.8
I
D
= 0.66 A
I
S
- 源电流（ A）
T
J
= 150 °C
0.6
0.4
T
J
= 25 °C
0.2
0.1
0.0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
1
2
3
4
5
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
浪涌漏二极管正向电压
文档编号： 71080
S- 51415 -REV 。 H， 03 -APR- 06
导通电阻与栅极至源极电压
www.vishay.com
3
